低壓MOS管 40N06B的產品概述: RDS(on) = 14mωVDS = 60V 高單元密度溝槽技術...低壓MOS管 40N06B的產品概述: RDS(on) = 14mωVDS = 60V 高單元密度溝槽技術 超低柵電荷 優(yōu)異的Cdv/dt效應下降 100%EAS保證 可用的綠色設備
低壓MOS管 9103A產品特性: RDS(ON)=8.5mω類型),V GS=10V 先進的溝槽加工技...低壓MOS管 9103A產品特性: RDS(ON)=8.5mω類型),V GS=10V 先進的溝槽加工技術 高密度單元設計,用于超低導通電阻 充分表征雪崩電壓和電流
MOS管3103A產品主要參數(shù): 型號:KNY3103A 工作方式:110A/30V 漏源極電壓:...MOS管3103A產品主要參數(shù): 型號:KNY3103A 工作方式:110A/30V 漏源極電壓:30V 柵源電壓:±20V 脈沖漏電流測試:440A 雪崩能量單脈沖:361MJ 最大功耗:...
安定器MOS管 50N03產品特征: 先進溝槽加工技術 超低電阻高密度電池設計 充...安定器MOS管 50N03產品特征: 先進溝槽加工技術 超低電阻高密度電池設計 充分表征雪崩電壓和電流
在了解mos管引腳順序之前,我們來了解一下mos管的引腳,G:gate 柵極;S:sour...在了解mos管引腳順序之前,我們來了解一下mos管的引腳,G:gate 柵極;S:source 源極;D:drain 漏極。N溝道的電源一般接在D,輸出S,P溝道的電源一般接在S,輸出...
安定器 MOS管KIA75NF75產品特征: RDS(ON)=12.5m?@VGS=10V 超低柵電荷(典型...安定器 MOS管KIA75NF75產品特征: RDS(ON)=12.5m?@VGS=10V 超低柵電荷(典型的90納米) 快速交換能力 指定雪崩能量 改進的dv/dt能力,堅固性高