P60v MOS管,60V PMOS管-KPX8106A參數(shù)引腳圖 RDS(ON)=26mΩ (typ.) @ VGS=-10V...P60v MOS管,60V PMOS管-KPX8106A參數(shù)引腳圖 RDS(ON)=26mΩ (typ.) @ VGS=-10V 漏極電流 (ID) :-30A 漏源擊穿電壓 (VDS(ON)) :-60V 功耗 (PDM) :57W 柵極電...
KNX4665B場效應(yīng)管具有高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻和低開關(guān)損耗等特點,漏源擊穿電壓...KNX4665B場效應(yīng)管具有高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻和低開關(guān)損耗等特點,漏源擊穿電壓高達(dá)650V,漏極電流7A,能夠承受較大的電壓壓力、良好的導(dǎo)電性能,RDS(ON)的典型...
KIA7610A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V,漏極電流25A,RDS(開)=32mΩ,采用了先進...KIA7610A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V,漏極電流25A,RDS(開)=32mΩ,采用了先進的溝槽加工技術(shù),實現(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻,提供杰出的性能、結(jié)工作溫度175℃,具備較高...
KIA6410A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V、漏極電流15A,具有RDS(ON)=72 mΩ@VGS=1...KIA6410A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V、漏極電流15A,具有RDS(ON)=72 mΩ@VGS=10V的低導(dǎo)通電阻特性,同時還具備改進的dv/dt能力,確保快速切換的穩(wěn)定性、以及100%的...
KNX2804C場效應(yīng)管漏源擊穿電壓40V,漏極電流150A,采用先進的溝槽MOS技術(shù),具有...KNX2804C場效應(yīng)管漏源擊穿電壓40V,漏極電流150A,采用先進的溝槽MOS技術(shù),具有極低的導(dǎo)通電阻RDS(接通),能夠?qū)崿F(xiàn)高效的電路控制;2804場效應(yīng)管RDS(ON)為3.0...
KIA3407A場效應(yīng)管采用了先進的溝槽工藝技術(shù),漏源擊穿電壓70V,漏極電流80A,R...KIA3407A場效應(yīng)管采用了先進的溝槽工藝技術(shù),漏源擊穿電壓70V,漏極電流80A,RDS(ON)最大10.8m?(在VGS=10V時);封裝形式:TO-220、TO-263。