電源適配器mos管KNX6140S是一款N溝道增強(qiáng)型硅柵極功率MOSFET,漏源擊穿電壓400...電源適配器mos管KNX6140S是一款N溝道增強(qiáng)型硅柵極功率MOSFET,漏源擊穿電壓400V,漏極電流11A,RDS(開(kāi)啟)典型值=0.53Ω@VGS=10V,較低的導(dǎo)通電阻,可最大限度地...
調(diào)光專(zhuān)用MOS管KIA4603A漏源擊穿電壓30V,漏極電流7A,RDS(開(kāi))=14.5mΩ(典型...調(diào)光專(zhuān)用MOS管KIA4603A漏源擊穿電壓30V,漏極電流7A,RDS(開(kāi))=14.5mΩ(典型值)@VGS=10V;具有超低柵極電荷,出色的Cdv/dt效應(yīng)下降,最大限度地減少導(dǎo)電損耗,...
KNX2912A場(chǎng)效應(yīng)管采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),漏源擊穿電壓120V,漏極電流130A,提供優(yōu)...KNX2912A場(chǎng)效應(yīng)管采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),漏源擊穿電壓120V,漏極電流130A,提供優(yōu)異的RDS(ON),在VGS=10V時(shí)的RDS(ON)僅為6.0mΩ(典型值),低柵極電荷,在儲(chǔ)能...
KNX3403C場(chǎng)效應(yīng)管是一款性能優(yōu)越的器件,漏源擊穿電壓30V,漏極電流80A,具有D...KNX3403C場(chǎng)效應(yīng)管是一款性能優(yōu)越的器件,漏源擊穿電壓30V,漏極電流80A,具有DFN3*3、DFN5*6以及TO-252封裝的RDS(ON)分別為4.3mΩ和4.5mΩ(典型值)@VGS=10V,...
車(chē)載逆變器專(zhuān)用場(chǎng)效應(yīng)管KNX2404N采用專(zhuān)有的新型溝槽技術(shù),具有出色的參數(shù)特性,...車(chē)載逆變器專(zhuān)用場(chǎng)效應(yīng)管KNX2404N采用專(zhuān)有的新型溝槽技術(shù),具有出色的參數(shù)特性,漏源擊穿電壓40V,漏極電流190A,RDS(ON),典型=4mΩ(典型值)@VGS=10V,低柵極...
KND3203B場(chǎng)效應(yīng)管具有100A、30V的額定參數(shù),采用了CRM(CQ)先進(jìn)的溝槽MOS技術(shù)...KND3203B場(chǎng)效應(yīng)管具有100A、30V的額定參數(shù),采用了CRM(CQ)先進(jìn)的溝槽MOS技術(shù),具有極低的導(dǎo)通電阻RDS(接通)和優(yōu)秀的QgxRDS(on)產(chǎn)品性能;RDS(開(kāi))為3.1m?...