場(chǎng)效應管的三個(gè)極

場(chǎng)效應管的三個(gè)極相當于三級管的三個(gè)電極，G是控制極，相當于三級管的B極，電壓控制DS的導通率（三極管是電流控制型，B極控制CE的導通能力）D級是漏極，相當于三級管的集電極，S是源級，相當于三級管的發(fā)射級。

場(chǎng)效應管(FET)是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應來(lái)控制輸出回路電流的一種半導體器件，并以此命名。由于它僅靠半導體中的多數載流子導電，又稱(chēng)單極型晶體管。

場(chǎng)效應管的三個(gè)極的G信號波形不夠陡峭，在點(diǎn)評切換階段會(huì )造成大量電能損耗其副作用是降低電路轉換效率，場(chǎng)效應管發(fā)燒嚴峻，易熱損壞場(chǎng)效應管的三個(gè)極GS間存在一定電容，假如G信號驅動(dòng)能力不夠，將嚴峻影響波形跳變的時(shí)間.

將G-S極短路，選擇萬(wàn)用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應為幾歐至十幾歐。若發(fā)現某腳與其字兩腳的電阻均呈無(wú)限大，并且交換表筆后仍為無(wú)限大，則證實(shí)此腳為G極，由于它和另外兩個(gè)管腳是絕緣的。

2.判斷源極S、漏極D

將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1k檔分別丈量三個(gè)管腳之間的電阻。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時(shí)黑表筆的是S極，紅表筆接D極。因為測試前提不同，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。

3.漏-源通態(tài)電阻RDS（on）

場(chǎng)效應管的三個(gè)極在源-漏之間有一個(gè)PN結，因此根據PN結正、反向電阻存在差異，可識別S極與D極。例如用500型萬(wàn)用表R×1檔實(shí)測一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W,大于0.58W（典型值）。

定性判斷場(chǎng)效應管的三個(gè)極好壞

先用萬(wàn)用表R×10kΩ擋(內置有15V電池)，把負表筆(黑)接柵極(G)，正表筆(紅)接源極(S)。給柵、源極之間充電，此時(shí)萬(wàn)用表指針有輕微偏轉。再改用萬(wàn)用表R×1Ω擋，將負表筆接漏極(D)，正筆接源極(S)，萬(wàn)用表指示值若為幾歐姆，則說(shuō)明場(chǎng)效應管是好的 。

判斷結型場(chǎng)效應管的電機

將萬(wàn)用表?yè)苤罵×100檔，紅表筆任意接一個(gè)腳管，黑表筆則接另一個(gè)腳管，使第三腳懸空。若發(fā)現表針有輕微擺動(dòng)，就證明第三腳為柵極。欲獲得更明顯的觀(guān)察效果，還可利用人體靠近或者用手指觸摸懸空腳，只要看到表針作大幅度偏轉，即說(shuō)明懸空腳是柵極，其余二腳分別是源極和漏極。

判斷理由：JFET的輸入電阻大于100MΩ，并且跨導很高，當柵極開(kāi)路時(shí)空間電磁場(chǎng)很容易在柵極上感應出電壓信號，使管子趨于截止，或趨于導通。若將人體感應電壓直接加在柵極上，由于輸入干擾信號較強，上述現象會(huì )更加明顯。如表針向左側大幅度偏轉，就意味著(zhù)管子趨于截止，漏-源極間電阻RDS增大，漏-源極間電流減小IDS。反之，表針向右側大幅度偏轉，說(shuō)明管子趨向導通，RDS↓，IDS↑。但表針究竟向哪個(gè)方向偏轉，應視感應電壓的極性(正向電壓或反向電壓)及管子的工作點(diǎn)而定。

場(chǎng)效應管注意事項

(1)場(chǎng)效應管的三個(gè)極試驗表明，當兩手與D、S極絕緣，只摸柵極時(shí)，表針一般向左偏轉。但是，如果兩手分別接觸D、S極，并且用手指摸住柵極時(shí)，有可能觀(guān)察到表針向右偏轉的情形。其原因是人體幾個(gè)部位和電阻對場(chǎng)效應管起到偏置作用，使之進(jìn)入飽和區。

(2)也可以用舌尖舔住柵極，現象同上。

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