光耦控制器mos管

在光耦驅動(dòng)的電路中，針對MOS管的驅動(dòng)電流是需要特別進(jìn)行估算的．—般常用的估算方式，將對光耦mos管估算方式進(jìn)行介紹．并對每種估算方式進(jìn)行講解

第一種:公式估算法

可以使用如下公式估算：

Ig=Qg/Ton

其中：

Ton=t3-t0≈td(on)+tr

td(on)：MOS導通延遲時(shí)間，從有駛入電壓上升到10%開(kāi)始到VDS下降到其幅值90%的時(shí)間。

Tr：上升時(shí)間。輸出電壓VDS從90%下降到其幅值10%的時(shí)間

Qg=（CEI）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod （可在datasheet中找到）

第二種：（第一種的變形）

密勒效應時(shí)間（開(kāi)關(guān)時(shí)間）Ton/off=Qgd/Ig；

Ig=[Vb-Vgs(th)]/Rg；

Ig：MOS柵極驅動(dòng)電流；Vb：穩態(tài)柵極驅動(dòng)電壓；

第三種：曲線(xiàn)估算法

以一個(gè)實(shí)際MOS管為例，看DATASHEET里有條Total Gate Charge曲線(xiàn)。該曲線(xiàn)先上升然后幾乎水平再上升。水平那段是管子開(kāi)通（密勒效應）假定你希望在0.2us內使管子開(kāi)通，估計總時(shí)間（先上升然后水平再上升）為0.4us，由Qg=67nC和0.4us可得：67nC/0.4us=0.1675A，當然，這是峰值，僅在管子開(kāi)通和關(guān)短的各0.2us里有電流，其他時(shí)間幾乎沒(méi)有電流，平均值很小，但如果驅動(dòng)芯片不能輸出這個(gè)峰值，管子的開(kāi)通就會(huì )變慢。

這3種目前較為常見(jiàn)的對于光耦應用中MOS管進(jìn)行估算的方法。每種方法都有其自身的特點(diǎn)，根據不同的情況，設計者可以根據公式或曲線(xiàn)模式來(lái)對MOS管的取值進(jìn)行估算。

繼電器的專(zhuān)業(yè)術(shù)語(yǔ)：

Form A=常開(kāi)觸點(diǎn)

Form B=常閉觸點(diǎn)

Form C=轉換觸點(diǎn)

Form E=雙穩態(tài)開(kāi)關(guān)

AT=安培匝數用于描述磁場(chǎng)靈敏度的參數

NC是常閉觸點(diǎn)（正常閉合）

NO是常開(kāi)觸點(diǎn)（常開(kāi)）

光耦繼電器（MOS輸出）特點(diǎn)

無(wú)觸點(diǎn)，因此沒(méi)有觸點(diǎn)的磨損，使用壽命是無(wú)限的；

無(wú)震動(dòng)和彈跳；防震，抗摔性；

無(wú)動(dòng)作聲音；

小體積（有直插和貼片兩種封裝），高信賴(lài)性；

AC/DC兼用；

高速切換；

低放電電壓；

低動(dòng)作電流（省電流）；

低開(kāi)路時(shí)的漏電電流；

輸入與輸出間完全絕緣；

可控制各種負載（繼電器、電燈、發(fā)光二極管、加熱器、馬達、電磁吸筒等）。

光耦繼電器是沒(méi)有壽命的，發(fā)光二極管導通截止，接收二極管導通截止，不會(huì )因為老化而壞掉。因此光耦繼電器適用于反復需要開(kāi)關(guān)的領(lǐng)域。

光耦繼電器還有一個(gè)優(yōu)點(diǎn)就是沒(méi)響聲，不會(huì )咔嚓咔嚓響

繼電器觸點(diǎn)類(lèi)型有：1常開(kāi)、1常閉、1開(kāi)1閉、2常開(kāi)、2常閉…..

總之很多很多，按需求選擇。

其實(shí)光耦繼電器按輸出結構也可以分為MOS(場(chǎng)效應管)輸出或SCR(可控硅整流管)輸出。

MOS輸出的負載電流比較小(通常幾百mA)，而如果是SCR輸出的負載電流比較大(能達到幾mA)

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