場(chǎng)效應管導通條件

場(chǎng)效應管導通條件與截止由柵源電壓來(lái)控制，對于增強型場(chǎng)效應管來(lái)說(shuō)，N溝通的管子加正向電壓即導通，P溝通的管子則加反向電壓。一般2V ~4V就可以了。

但是，場(chǎng)效應管分為增強型（常開(kāi)型）和耗盡型（常閉型），增強型的管子是需要加電壓才能導通的，而耗盡型管子本來(lái)就處于導通狀態(tài)，加柵源電壓是為了使其截止。

開(kāi)關(guān)只有兩種狀態(tài)通和斷，三極管和場(chǎng)效應管工作有三種狀態(tài)，1、截止，2、線(xiàn)性放大，3、飽和（基極電流繼續增加而集電極電流不再增加）。使晶體管只工作在1和3狀態(tài)的電路稱(chēng)之為開(kāi)關(guān)電路，一般以晶體管截止，集電極不吸收電流表示關(guān)；以晶體管飽和，發(fā)射極和集電極之間的電壓差接近于Ov時(shí)表示開(kāi)。

開(kāi)關(guān)電路用于數字電路時(shí)，輸出電位接近Ov時(shí)表示0，輸出電位接近電源電壓時(shí)表示1。所以數字集成電路內鄯的晶體管都工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)。場(chǎng)效應管按溝通分可分為N溝通和P溝道管（在符號圖中可看到中間的箭頭方向不一樣）。

按材料分可分為結型管和絕緣柵型管，絕緣柵型又分為耗盡型和增強型，一般主板上大多是絕緣柵型管簡(jiǎn)稱(chēng)MOS管，并且大多采用增強型的N溝道，其次是增強型的P溝通，結型蓄和耗盡型蓄幾乎不用。場(chǎng)效應昌體管(FieldEffectTransistor縮寫(xiě)(FET))簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應管由多數載流子參與導電，也稱(chēng)為單極型晶體管它屬于電壓控制型半導體器件場(chǎng)效應管是利用多數載流子導電，所以稱(chēng)之為單極型器件，而晶體管是即有多數載流子，也利用少數載流子導電，被稱(chēng)之為雙極型器件有些場(chǎng)效應管的源極和漏極可以互換使用，棚壓也可正可負，靈活性比晶體管好。

什么叫場(chǎng)效應管？

FET是Field-Effect-Transistor的縮寫(xiě)，即為場(chǎng)效應晶體管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電，因此稱(chēng)為雙極型晶體管，而FET僅是由多數載流子參與導電，它與雙極型相反，也稱(chēng)為單極型晶體管。FET應用范圍很廣，但不能說(shuō)現在普及的雙極型晶體管都可以用FET替代。然而，由于FET的特性與雙極型晶體管的特性完全不同，能構成技術(shù)性能非常好的電路。

三極管的導通條件

三極管的導通條件是：發(fā)射結加正向電壓，集電結加反向電壓。發(fā)射結加正向電壓，就是基極和發(fā)射極之間所加電壓Ube，是按箭頭的指向加PN結的電壓，即硅管加07Vj鍺管加口2V。集電結加反向電壓，就是在集電結的PN結上加反壓Ube才能把基區的電荷吸引過(guò)來(lái)。此電壓較高，在手機中一般為1-3.6V。

PNP三極管的導通電壓是Ue>Ub>Uc；NPN三極管為Uc>Ub>Ue。

對于NPN型管子．是C點(diǎn)電位>B點(diǎn)電位>E點(diǎn)電位．對PNP型管子．是E點(diǎn)電位>B點(diǎn)電位>C點(diǎn)電位．這是放大的條件要想使管子飽和導通．則應該(NPN型)Ub>Ue．Ub>Uc．(PNP型)Ue>Ub．Uc>Ub

場(chǎng)效應管開(kāi)關(guān)工作狀態(tài)

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