KND4820B現貨供應商 KND4820B PDF文件下載 9A 200V參數資料-KIA 官網(wǎng)
信息來(lái)源:本站 日期:2018-03-08
1、應用
KND4820B通道增強型硅柵功率MOSFET的高電壓設計,高速功率開(kāi)關(guān)應用,如高效率開(kāi)關(guān)電源,有源基于半橋拓撲結構的功率因數校正電子鎮流器。
2、特征
專(zhuān)有的新平面技術(shù)
RDS(ON),典型值= 250mΩ@ VGS = 10v
低門(mén)電荷最小化開(kāi)關(guān)損耗
快速恢復體二極管
3、產(chǎn)品參數
產(chǎn)品型號:KND4820B
工作方式:9A/200V
漏源電壓:200V
柵源電壓:±20V
漏電流連續:9.0A
脈沖漏極電流:36A
雪崩能量:300mJ
耗散功率:83V
熱電阻:75℃/W
漏源擊穿電壓:200V
柵極閾值電壓:1.0V
輸入電容:418PF
輸出電容:94PF
上升時(shí)間:6.0ns
封裝形式:TO-251、TO-252
4、產(chǎn)品規格
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KND4820B |
產(chǎn)品編號 | KND4820B 9A/200V |
產(chǎn)品特征 |
專(zhuān)有的新平面技術(shù) RDS(ON),典型值= 250mΩ@ VGS = 10v 低門(mén)電荷最小化開(kāi)關(guān)損耗 快速恢復體二極管 |
適用范圍 |
高速功率開(kāi)關(guān)應用,如高效率開(kāi)關(guān)電源,有源基于半橋拓撲結構的功率因數校正電子鎮流器。 |
封裝形式 | TO-251、TO-252 |
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