KND4820B參數

1、應用

KND4820B通道增強型硅柵功率MOSFET的高電壓設計，高速功率開(kāi)關(guān)應用，如高效率開(kāi)關(guān)電源，有源基于半橋拓撲結構的功率因數校正電子鎮流器。

2、特征

專(zhuān)有的新平面技術(shù)

RDS（ON），典型值= 250mΩ@ VGS = 10v

低門(mén)電荷最小化開(kāi)關(guān)損耗

快速恢復體二極管

3、產(chǎn)品參數

產(chǎn)品型號：KND4820B

工作方式：9A/200V

漏源電壓：200V

柵源電壓：±20V

漏電流連續：9.0A

脈沖漏極電流：36A

雪崩能量：300mJ

耗散功率：83V

熱電阻：75℃/W

漏源擊穿電壓：200V

柵極閾值電壓：1.0V

輸入電容：418PF

輸出電容：94PF

上升時(shí)間：6.0ns

封裝形式：TO-251、TO-252

4、產(chǎn)品規格

	KND4820B
產(chǎn)品編號	KND4820B 9A/200V
產(chǎn)品特征	專(zhuān)有的新平面技術(shù) RDS（ON），典型值= 250mΩ@ VGS = 10v 低門(mén)電荷最小化開(kāi)關(guān)損耗快速恢復體二極管
適用范圍	高速功率開(kāi)關(guān)應用，如高效率開(kāi)關(guān)電源，有源基于半橋拓撲結構的功率因數校正電子鎮流器。
封裝形式	TO-251、TO-252
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