KIA20N50參數指標

KIA20n50h N溝道增強型硅柵功率MOSFET是專(zhuān)為高電壓，高速功率開(kāi)關(guān)應用，如高效率開(kāi)關(guān)電源，有源功率因數校正。

KIA20N50特征

RDS(on)=0.21Ω @ VGS=10V

低柵極電荷（典型的70nc）

快速切換的能力

雪崩能量

改進(jìn)的dt／dt能力

KIA20N50參數

產(chǎn)品型號：KIA20N50

工作方式：20A/500V

漏源電壓：500V

柵源電壓：±30V

漏電流連續：13A

脈沖漏極電流：80A

雪崩能量：110mJ

耗散功率：41.5W

熱電阻：62.5℃/W

漏源擊穿電壓：500V

溫度系數：0.5V/℃

柵極閾值電壓：2.0V

輸入電容：2700 PF

輸出電容：400 PF

上升時(shí)間：400 ns

封裝形式：TO-247、TO-220F、TO-3P

	KIA20N50/HF/HH/HM
產(chǎn)品編號	KIA20N50（20A 500V）
FET極性	N溝道MOSFET
產(chǎn)品特征	RDS(on)=0.21Ω @ VGS=10V 低柵極電荷（典型的70nc）快速切換的能力雪崩能量改進(jìn)的dt／dt能力
適用范圍	主要適用于為高電壓，高速功率開(kāi)關(guān)應用，如高效率開(kāi)關(guān)電源，有源功率因數校正。
封裝形式	TO-220F、TO-247、TO-3P
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廠(chǎng)家	KIA原廠(chǎng)家
網(wǎng)址	www.bontheholidayvillage.com
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