KIA18N20參數指標

RDS(ON)=0.12Ω (Max.) @VGS=10V

通過(guò)無(wú)鉛認證

低電阻

低柵極電荷

峰值電流與脈寬曲線(xiàn)

應用

電視/顯示器

其他應用

KIA18N20參數

產(chǎn)品型號：KIA18N20

工作方式：18A/200V

漏源電壓：200V

柵源電壓：±30V

漏電流連續：18A

脈沖漏極電流：6A

雪崩電流：8A

雪崩能量：950mJ

耗散功率：156W

熱電阻：62.5℃/W

漏源擊穿電壓：200V

溫度系數：0.25V/℃

柵極閾值電壓：2.0V

輸入電容：1140PF

輸出電容：80PF

上升時(shí)間：33 ns

封裝形式：TO-220、TO-220F

	KIA18N20/AF/AP
產(chǎn)品編號	KIA18N20（18A200V）
FET極性	N溝道MOSFET
產(chǎn)品特征	RDS(ON)=0.12Ω (Max.) @VGS=10V 通過(guò)無(wú)鉛認證低電阻低柵極電荷峰值電流與脈寬曲線(xiàn)
適用范圍	主要適用于電視/顯示器、其他應用
封裝形式	TO-220、TO-220F
PDF文件	【直接在線(xiàn)預覽】
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廠(chǎng)家	KIA原廠(chǎng)家
網(wǎng)址	www.bontheholidayvillage.com
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