KNF4665參數指標

功率MOSFET采用起亞的高級平面條形DMOS工藝生產(chǎn)。這種先進(jìn)的技術(shù)已特別定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能，在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖。這些設備非常適合于高效率開(kāi)關(guān)電源，有源功率因數校正的基礎上半橋拓撲。

KNF4665特征

7.5A, 650V, RDS(on) typ. = 1.1Ω@VGS= 10 V

低柵極電荷（典型的25nc）

高耐用性

快速切換

100%雪崩測試

改進(jìn)的dv / dt的能力

KNF4665參數

產(chǎn)品型號：KNF4665

工作方式：7A/650V

漏源電壓：650V

柵源電壓：±30V

漏電流連續：7.5A

脈沖漏極電流：30A

雪崩能量：21mJ

耗散功率：147W

熱電阻：62.5℃/W

漏源擊穿電壓：650V

溫度系數：0.65V/℃

柵極閾值電壓：2.0V

輸入電容：970 PF

輸出電容:40 PF

上升時(shí)間：21 ns

封裝形式：TO-220、TO-220F

	KNF4665
產(chǎn)品編號	KNF4665（7A 650V）
FET極性	N溝道MOSFET
產(chǎn)品工藝	功率MOSFET采用起亞的高級平面條形DMOS工藝生產(chǎn)。這種先進(jìn)的技術(shù)已特別定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能，在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖。這些設備非常適合于高效率開(kāi)關(guān)電源，有源功率因數校正的基礎上半橋拓撲
產(chǎn)品特征	7.5A, 650V, RDS(on) typ. = 1.1Ω@VGS= 10 V 低柵極電荷（典型的25nc）高耐用性快速切換 100%雪崩測試改進(jìn)的dv / dt的能力
適用范圍	主要適合于高效率開(kāi)關(guān)電源，有源功率因數校正的基礎上半橋拓撲
封裝形式	TO-220、TO-220F
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