3650現貨供應商 KIA3650 60A/500V PDF文件 3650參數詳細資料-KIA 官網(wǎng)
信息來(lái)源:本站 日期:2018-02-07
高電壓MOSFET采用先進(jìn)的終止方案,提供增強的電壓。不隨時(shí)間降低性能的阻塞能力。此外,這種先進(jìn)的MOSFET設計能夠承受高能量的雪崩和減刑模式。新的節能設計還提供了一個(gè)快速恢復時(shí)間二極管源漏。高電壓設計,高速開(kāi)關(guān)電源,轉換器和PWM電機控制中的應用程序,這些設備特別適用于橋式電路,二極管速度和換向安全操作區域。關(guān)鍵和提供額外的和安全邊際對意外電壓瞬變。
KCM3650特征
強大的高壓終止
雪崩能量
源漏二極管恢復時(shí)間相當于分立快恢復二極管
二極管的特點(diǎn)是用于橋式電路
IDSS和VDS(上)指定高溫
隔離安裝孔減少安裝硬件
KCM3650參數指標
產(chǎn)品型號:KIA3650
工作方式:60A/500V
漏源電壓:500V
柵源電壓:±20V
漏電流連續:60A
脈沖漏極電流:180A
雪崩能量:1280mJ
耗散功率:54W
熱電阻:62.5℃/W
漏源擊穿電壓:500V
柵極閾值電壓:2.0V
輸入電容:3180 PF
輸出電容:4400 PF
上升時(shí)間:52 ns
封裝形式:TO-220F、TO-247
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KCM3650(60A 500V) |
產(chǎn)品編號 | KCM3650A |
FET極性 | N溝道MOSFET |
產(chǎn)品工藝 |
高電壓MOSFET采用先進(jìn)的終止方案,提供增強的電壓。不隨時(shí)間降低性能的阻塞能力。此外,這種先進(jìn)的MOSFET設計能夠承受高能量的雪崩和減刑模式。新的節能設計還提供了一個(gè)快速恢復時(shí)間二極管源漏。高電壓設計,高速開(kāi)關(guān)電源,轉換器和PWM電機控制中的應用程序。 |
產(chǎn)品特征 |
強大的高壓終止 雪崩能量 源漏二極管恢復時(shí)間相當于分立快恢復二極管 二極管的特點(diǎn)是用于橋式電路 IDSS和VDS(上)指定高溫 隔離安裝孔減少安裝硬件 |
適用范圍 |
主要適用于橋式電路,二極管速度和換向安全操作區域。關(guān)鍵和提供額外的和安全邊際對意外電壓瞬變。 |
封裝形式 | TO-220F、TO-247 |
PDF文件 |
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廠(chǎng)家 | KIA原廠(chǎng)家 |
網(wǎng)址 | www.bontheholidayvillage.com |
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