16N50現貨供應商 KIA16N50 16A/50V PDF文件 16N50參數詳細資料-KIA
信息來(lái)源:本站 日期:2018-02-05
功率MOSFET采用先進(jìn)的平面條形DMOS工藝生產(chǎn)的起亞。這種先進(jìn)的技術(shù)已特別定制,以盡量減少對國家的阻力,提供優(yōu)越的開(kāi)關(guān)。性能,在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖。這些設備非常適合于高效率開(kāi)關(guān)電源,有源功率因數校正的基礎上半橋拓撲。
KIA16N50特征
RDS(ON)= 0.32Ω@ VGS = 10v
低柵極電荷(典型的45nc)
快速切換的能力
雪崩能量
改進(jìn)的dt/dt能力
KIA16N50應用
高效率開(kāi)關(guān)電源,有源功率因數校正的基礎上半橋拓撲。
參數指標
產(chǎn)品型號:KIA16N50
工作方式:16A/500V
漏源電壓:500V
柵源電壓:±30V
漏電流連續:16*A
雪崩能量:853mJ
功率耗損:38.5W
熱電阻:62.5℃/W
漏源擊穿電壓:38.5V
柵極閾值電壓:3.0V
輸入電容:2200 PF
輸出電容:350 PF
上升時(shí)間:170 ns
封裝形式:TO-220F、TO-3P、TO-247
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KIA16N50(16A 500V) |
產(chǎn)品編號 | KIA16N50HF/HH/HM |
FET極性 | N溝道MOSFET |
產(chǎn)品工藝 |
功率MOSFET采用先進(jìn)的平面條形DMOS工藝生產(chǎn)的起亞。這種先進(jìn)的技術(shù)已特別定制,以盡量減少對國家的阻力,提供優(yōu)越的開(kāi)關(guān)。性能,在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖。這些設備非常適合于高效率開(kāi)關(guān)電源,有源功率因數校正的基礎上半橋拓撲。
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產(chǎn)品特征 |
RDS(ON)= 0.32Ω@ VGS = 10v 低柵極電荷(典型的45nc) 快速切換的能力 雪崩能量 改進(jìn)的dt/dt能力 |
適用范圍 |
主要適用于高效率開(kāi)關(guān)電源,有源功率因數校正的基礎上半橋拓撲 |
封裝形式 | TO-220F、TO-3P、TO-247 |
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廠(chǎng)家 | KIA原廠(chǎng)家 |
網(wǎng)址 | www.bontheholidayvillage.com |
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