KIA12N65參數

KIA12n65hN溝道增強型硅柵功率MOSFET是專(zhuān)為高電壓，高速功率開(kāi)關(guān)應用，如高效率開(kāi)關(guān)電源，基于半橋拓撲結構的有源功率因數校正電子鎮流器。

KIA12N65特征

RDS(on)=0.63?@ VGS = 10V

低柵極電荷（典型的52nc）

快速切換的能力

雪崩能量

改進(jìn)的dt／dt能力

產(chǎn)品型號：KIA12N65

工作方式：12A/650V

漏源電壓：650V

柵源電壓：±30V

漏電流連續：12.0*A

脈沖漏極電流：48.0*A

雪崩能量：865mJ

耗散功率：54W

熱電阻：62.5℃/W

漏源擊穿電壓：650V

溫度系數：0.7V/℃

柵極閾值電壓：2.0V

輸入電容：1850 PF

輸出電容：180 PF

上升時(shí)間：90 ns

封裝形式：TO-220F

	KIA12N65（12A 650V）
產(chǎn)品編號	KIA12N65/HF
FET極性	N溝道MOSFET
產(chǎn)品工藝	KIA12n65hN溝道增強型硅柵功率MOSFET是專(zhuān)為高電壓，高速功率開(kāi)關(guān)應用，如高效率開(kāi)關(guān)電源，基于半橋拓撲結構的有源功率因數校正電子鎮流器
產(chǎn)品特征	RDS(on) = 0.63?@ V GS = 10 V 低柵極電荷（典型的52nc）快速切換的能力雪崩能量改進(jìn)的dt／dt能力
適用范圍	適用于高速功率開(kāi)關(guān)，開(kāi)關(guān)電源等
封裝形式	TO-220F
PDF文件	【直接在線(xiàn)預覽】
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廠(chǎng)家	KIA原廠(chǎng)家
網(wǎng)址	www.bontheholidayvillage.com
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