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2N60現貨供應商 KIA2N60中文資料 PDF文件 2N60參數資料-KIA 官網(wǎng)

信息來(lái)源：本站　日期：2018-01-27　

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KIA2N60參數

KIA2N60 N溝道增強型硅柵功率MOSFET的設計高壓，高速功率開(kāi)關(guān)應用，如開(kāi)關(guān)穩壓器，開(kāi)關(guān)變換器，螺線(xiàn)管，電機驅動(dòng)器，繼電器驅動(dòng)程序。

KIA2N60特征

RDS（ON）= 4.1Ω@ V GS = 10v

低柵極電荷（典型9NC）

高耐用性

快速切換的能力

雪崩能量

改進(jìn)的dt／dt能力

產(chǎn)品型號：KIA2N60

工作方式：2A/600V

漏源電壓：600V

柵源電壓：±30V

漏電流連續：2.0*A

脈沖漏極電流：8*A

雪崩能量：12mJ

耗散功率：44W

熱電阻：62.5℃/W

漏源擊穿電壓：600V

柵極閾值電壓：2.0V

輸入電容：200 PF

輸出電容：20 PF

上升時(shí)間：25 ns

封裝形式：TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F

	KIA2N60（2A/600V）
產(chǎn)品編號	KIA2N60/HD/HF/HP/HU/OP/PF/PP/PU/U
FET極性	N溝道MOSFET
產(chǎn)品工藝	kia2n60hN溝道增強型硅柵功率MOSFET的設計高壓，高速功率開(kāi)關(guān)應用，如開(kāi)關(guān)穩壓器，開(kāi)關(guān)變換器，螺線(xiàn)管，電機驅動(dòng)器，繼電器驅動(dòng)程序
產(chǎn)品特征	RDS（ON）= 4.1Ω@ V GS = 10v 低柵極電荷（典型9NC）高耐用性快速切換的能力雪崩能量改進(jìn)的dt／dt能力
適用范圍	主要適用于功率開(kāi)關(guān)應用，如開(kāi)關(guān)穩壓器，開(kāi)關(guān)變換器，螺線(xiàn)管，電機驅動(dòng)器，繼電器驅動(dòng)程序
封裝形式	TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F
PDF文件	【直接在線(xiàn)預覽】
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廠(chǎng)家	KIA原廠(chǎng)家
網(wǎng)址	www.bontheholidayvillage.com
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