6N65供應商-IA6N65HD 5.5A/650V-KIA6N65 PDF文件下載-KIA官網(wǎng)
信息來(lái)源:本站 日期:2018-01-26
特點(diǎn)
RDS(ON)= 1.9?@ V GS = 10v
低柵極電荷(典型的16nc)
高耐用性
快速切換的能力
雪崩能量
改進(jìn)的dt/dt能力
產(chǎn)品型號:KIA6N65HD
工作方式:5.5A/650V
漏源電壓:650V
柵源電壓:±30V
漏電流連續:5.5*A
脈沖漏極電流:16.0A
雪崩能量:300mJ
耗散功率:80W
熱電阻:50*(110)℃/W
漏源擊穿電壓:650V
柵極閾值電壓:2.0V
輸入電容:620 PF
輸出電容:65 PF
上升時(shí)間:45 ns
封裝形式:TO-252
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KIA6N65(5.5A/650V) |
產(chǎn)品編號 | KIA6N65/HD |
FET極性 | N溝道MOSFET |
產(chǎn)品工藝 |
KIA 6N65HDN溝道增強型硅柵功率MOSFET的設計對于高電壓,高速功率開(kāi)關(guān)應用,如開(kāi)關(guān)穩壓器,開(kāi)關(guān)轉換器,螺線(xiàn)管,電機驅動(dòng)器,繼電器驅動(dòng)程序。 |
產(chǎn)品特征 |
RDS(ON)= 1.9?@ V GS = 10v 低柵極電荷(典型的16nc) 高耐用性 快速切換的能力 雪崩能量 改進(jìn)的dt/dt能力 |
適用范圍 |
主要適用于高電壓,高速功率開(kāi)關(guān)應用,如開(kāi)關(guān)穩壓器,開(kāi)關(guān)轉換器,螺線(xiàn)管,電機驅動(dòng)器,繼電器驅動(dòng)程序 |
封裝形式 | TO-252 |
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廠(chǎng)家 | KIA 原廠(chǎng)家 |
網(wǎng)址 | www.bontheholidayvillage.com |
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