100N03A供應商 KIA100N03A PDF文件 100N03A參數資料-KIA 官網(wǎng)
信息來(lái)源：本站 日期：2018-01-23
KIA100N03A 是功率MOSFET采用起亞`平面條形DMOS工藝生產(chǎn)的先進(jìn)。這先進(jìn)的技術(shù)已特別定制，以盡量減少對的阻力，提供優(yōu)越的。
開(kāi)關(guān)性能，在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。這些器件非常適用于高效率開(kāi)關(guān)電源，有源功率因數校正?；诎霕蛲負?。
特征：
RDS(on) =3.1m?@ VGS=10V
dv / dt的能力提高
快速開(kāi)關(guān)
綠色環(huán)保
參數：
漏源電壓(vdss):30V
柵源電壓（vgss)：±20V
連續漏電流：（ld）：90A
脈沖漏極電流：360A
雪崩電流：50A
雪崩能量：125mJ
耗散功率（pd）：88W
熱電阻：60℃/W
漏源擊穿電壓：30V
柵極閾值電壓（min）：1.2V
溫度系數：-5mV/℃
 |
KIA100N03A(90A 30V) |
| 產(chǎn)品編號 |
100N03A/AB/AD/AP/AU |
| 產(chǎn)品工藝 |
KIA100N03A 是功率MOSFET采用起亞`平面條形DMOS工藝生產(chǎn)的先進(jìn)。這先進(jìn)的技術(shù)已特別定制，以盡量減少對的阻力，提供優(yōu)越的。 |
| 產(chǎn)品特征 |
RDS(on) =3.1m?@ VGS=10V dv / dt的能力提高 快速開(kāi)關(guān) 綠色環(huán)保 |
| 適用范圍 |
適用于高效率開(kāi)關(guān)電源，有源功率因數校正、基于半橋拓撲 |
| 封裝形式 | TO-251、TO-252、TO-263、TO-220 |
| PDF文件 |
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| LOGO |
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| 廠(chǎng)家 | KIA原廠(chǎng)家 |
| 網(wǎng)址 | www.bontheholidayvillage.com |
| PDF總頁(yè)數 | 總5頁(yè) |
聯(lián)系方式：鄒先生
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