mos管交流小信號模型-低頻、高頻小信號等效電路工作原理
信息來(lái)源：本站 日期：2017-12-23
因為在許多模仿電路中，MOS管被偏置在飽滿(mǎn)區，所以主要推導出在飽滿(mǎn)區的小信號模型。所謂小信號是指對偏置的影響十分小的信號，關(guān)于MOS管而言，其小信號是相關(guān)于過(guò)驅動(dòng)電壓( VGS -Vth)[而言的（這將在第2章中進(jìn)行解說(shuō)）。
由前面的剖析可知：在飽滿(mǎn)區時(shí)MOS管的漏極電流足柵／源電壓的函數，可引入一個(gè)壓控電流源來(lái)表明，其電流值為gmVGS，且因為柵／源之間的低頻阻抗很高，因而可得到一個(gè)抱負的MOS管的小信號模型，如圖1.16 (a)所示。
實(shí)踐的模仿集成電路中MOS管存在著(zhù)二階效應：溝道調制效應、襯底偏置效應等，因而有必要考慮二階效應時(shí)MOS管的小信號等效模型。
因為溝道調制效應等效于漏／源之間存在的電阻ro;而襯底偏置效應則體現為背柵效應，即可用漏／源之間的等效壓控電流源gmbVBS表明，因而MOS管在飽滿(mǎn)區的小信號等效模型如圖1.16 (b)所示。
圖1.16所示的等效電路是最基本的，依據MOS管在電路中不同的接法能夠進(jìn)一步簡(jiǎn)化。
在高頻應用時(shí)，MOS管的分布電容就不能疏忽，即在考慮高頻溝通小信號作業(yè)時(shí)有必要考慮MOS管的分布電容對電路功能的影響，所以MOS管的高頻小信號等效電路能夠在其低頻小信號等效電路的基礎上參加MOS管的極間電容完成，如圖1.17所示。
因為在不同作業(yè)狀況（截止、飽滿(mǎn)、線(xiàn)性）時(shí)MOS管的分布電容值不同，因而若進(jìn)行詳細的核算比較困難，但能夠經(jīng)過(guò)軟件模仿進(jìn)行剖析。
另外，在高頻電路中有必要注意其作業(yè)頻率受MOS管的最高作業(yè)頻率的約束（即電路的工作頻率，如高于MOS管的最高作業(yè)頻率時(shí)，電路不能正常工作）。
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