MOS在控制器電路中的工作狀況：注冊進(jìn)程（由截止到導通的過(guò)渡進(jìn)程）、導通狀況、關(guān)斷進(jìn)程（由導通到截止的過(guò)渡進(jìn)程）、截止狀況。

MOS首要損耗也對應這幾個(gè)狀況，開(kāi)關(guān)損耗（注冊進(jìn)程和關(guān)斷進(jìn)程），導通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個(gè)忽略不計），還有雪崩能量損耗。只需把這些損耗控制在mos接受標準之內，mos即會(huì )正常作業(yè)，超出接受規模，即發(fā)作損壞。而開(kāi)關(guān)損耗往往大于導通狀況損耗（不同mos這個(gè)距離可能很大）

Mos損壞首要原因：

過(guò)流----------繼續大電流或瞬間超大電流引起的結溫過(guò)高而焚毀；

過(guò)壓----------源漏過(guò)壓擊穿、源柵極過(guò)壓擊穿；

靜電----------靜電擊穿。CMOS電路都怕靜電；

Mos開(kāi)關(guān)原理（扼要）。Mos是電壓驅動(dòng)型器材，只需柵極和源級間給一個(gè)恰當電壓，源級和漏級間通路就構成。這個(gè)電流通路的電阻被成為mos內阻，就是導通電阻。這個(gè)內阻巨細根本決議了mos芯片能接受的最大導通電流（當然和其它要素有關(guān)，最有關(guān)的是熱阻）。內阻越小接受電流越大（由于發(fā)熱?。?

Mos問(wèn)題遠沒(méi)這么簡(jiǎn)略，費事在它的柵極和源級間，源級和漏級間，柵極和漏級間內部都有等效電容。所以給柵極電壓的進(jìn)程就是給電容充電的進(jìn)程（電容電壓不能驟變），所以mos源級和漏級間由截止到導通的注冊進(jìn)程受柵極電容的充電進(jìn)程制約。

可是，這三個(gè)等效電容是構成串并聯(lián)組合關(guān)系，它們相互影響，并不是獨立的，如果獨立的就很簡(jiǎn)略了。其間一個(gè)要害電容就是柵極和漏級間的電容Cgd，這個(gè)電容業(yè)界稱(chēng)為米勒電容。這個(gè)電容不是恒定的，隨柵極和漏級間電壓改變而敏捷改變。這個(gè)米勒電容是柵極和源級電容充電的攔路虎，由于柵極給柵-源電容Cgs充電抵達一個(gè)渠道后，柵極的充電電流必須給米勒電容Cgd充電，這時(shí)柵極和源級間電壓不再升高，抵達一個(gè)渠道，這個(gè)是米勒渠道（米勒渠道就是給Cgd充電的進(jìn)程），米勒渠道我們首要想到的費事就是米勒振蕩。（即，柵極先給Cgs充電，抵達必定渠道后再給Cgd充電）

由于這個(gè)時(shí)分源級和漏級間電壓敏捷改變，內部電容相應敏捷充放電，這些電流脈沖會(huì )導致mos寄生電感發(fā)生很大感抗，這兒面就有電容，電感，電阻組成震動(dòng)電路（能構成2個(gè)回路），而且電流脈沖越強頻率越高震動(dòng)起伏越大。所以最要害的問(wèn)題就是這個(gè)米勒渠道怎么過(guò)渡。

過(guò)快的充電會(huì )導致劇烈的米勒震動(dòng)，但過(guò)慢的充電雖減小了震動(dòng)，但會(huì )延伸開(kāi)關(guān)然后添加開(kāi)關(guān)損耗。Mos注冊進(jìn)程源級和漏級間等效電阻相當于從無(wú)窮大電阻到阻值很小的導通內阻（導通內阻一般低壓mos只需幾毫歐姆）的一個(gè)轉變進(jìn)程。比方一個(gè)mos最大電流100a，電池電壓96v，在注冊進(jìn)程中，有那么一會(huì )兒（剛進(jìn)入米勒渠道時(shí)）mos發(fā)熱功率是P=V*I(此刻電流已達最大，負載沒(méi)有跑起來(lái)，一切的功率都降落在MOS管上)，P=96*100=9600w！這時(shí)它發(fā)熱功率最大，然后發(fā)熱功率敏捷下降直到徹底導通時(shí)功率變成100*100*0.003=30w（這兒假定這個(gè)mos導通內阻3毫歐姆）。開(kāi)關(guān)進(jìn)程中這個(gè)發(fā)熱功率改變是驚人的。

如果注冊時(shí)刻慢，意味著(zhù)發(fā)熱從9600w到30w過(guò)渡的慢，mos結溫會(huì )升高的兇猛。所以開(kāi)關(guān)越慢，結溫越高，簡(jiǎn)略燒mos。為了不燒mos，只能下降mos限流或許下降電池電壓，比方給它約束50a或電壓下降一半成48v，這樣開(kāi)關(guān)發(fā)熱損耗也下降了一半。不燒管子了。這也是高壓控簡(jiǎn)略燒管子原因，高壓控制器和低壓的只需開(kāi)關(guān)損耗不一樣（開(kāi)關(guān)損耗和電池端電壓根本成正比，假定限流一樣），導通損耗徹底受mos內阻決議，和電池電壓沒(méi)任何關(guān)系。

其實(shí)整個(gè)mos注冊進(jìn)程非常復雜。里邊變量太多?？倸w就是開(kāi)關(guān)慢不簡(jiǎn)略米勒震動(dòng)，但開(kāi)關(guān)損耗大，管子發(fā)熱大，開(kāi)關(guān)速度快理論上開(kāi)關(guān)損耗低（只需能有用按捺米勒震動(dòng)），可是往往米勒震動(dòng)很兇猛（如果米勒震動(dòng)很?chē)乐?，可能在米勒渠道就燒管子了），反而開(kāi)關(guān)損耗也大，而且上臂mos震動(dòng)更有可能引起下臂mos誤導通，構成上下臂短路。所以這個(gè)很考驗設計師的驅動(dòng)電路布線(xiàn)和主回路布線(xiàn)技能。最終就是找個(gè)平衡點(diǎn)（一般注冊進(jìn)程不超越1us）。注冊損耗這個(gè)最簡(jiǎn)略，只和導通電阻成正比，想大電流低損耗找內阻低的。

下面介紹下對一般用戶(hù)有用點(diǎn)的。

Mos挑選的重要參數扼要闡明。以datasheet舉例闡明。

柵極電荷。

Qgs, Qgd

Qgs:指的是柵極從0v充電到對應電流米勒渠道時(shí)總充入電荷（實(shí)踐電流不同，這個(gè)渠道高度不同，電流越大，渠道越高，這個(gè)值越大）。這個(gè)階段是給Cgs充電（也相當于Ciss，輸入電容）。

Qgd:指的是整個(gè)米勒渠道的總充電電荷（在這稱(chēng)為米勒電荷）。這個(gè)進(jìn)程給Cgd（Crss，這個(gè)電容隨著(zhù)gd電壓不同敏捷改變）充電。

下面是型號stp75nf75.

我們一般75管Qgs是27nc，Qgd是47nc。結合它的充電曲線(xiàn)。

進(jìn)入渠道前給Cgs充電，總電荷Qgs 27nc，渠道米勒電荷Qgd 47nc。

而在開(kāi)關(guān)過(guò)沖中，mos首要發(fā)熱區間是粗赤色標示的階段。從Vgs開(kāi)端超越閾值電壓，到米勒渠道完畢是首要發(fā)熱區間。其間米勒渠道完畢后mos根本徹底翻開(kāi)這時(shí)損耗是根本導通損耗（mos內阻越低損耗越低）。閾值電壓前，mos沒(méi)有翻開(kāi)，簡(jiǎn)直沒(méi)損耗（只需漏電流引起的一點(diǎn)損耗）。其間又以赤色拐彎當地損耗最大（Qgs充電將近完畢，快到米勒渠道和剛進(jìn)入米勒渠道這個(gè)進(jìn)程發(fā)熱功率最大（更粗線(xiàn)表示）。

所以必定充電電流下，赤色標示區間總電荷小的管子會(huì )很快度過(guò)，這樣發(fā)熱區間時(shí)刻就短，總發(fā)熱量就低。所以理論上挑選Qgs和Qgd小的mos管能快速度過(guò)開(kāi)關(guān)區。

導通內阻。Rds（on）。這個(gè)耐壓必定情況下是越低越好。不過(guò)不同廠(chǎng)家標的內阻是有不同測驗條件的。測驗條件不同，內阻測量值會(huì )不一樣。同一管子，溫度越高內阻越大（這是硅半導體資料在mos制作工藝的特性，改變不了，能稍改進(jìn)）。所以大電流測驗內阻會(huì )增大（大電流下結溫會(huì )明顯升高），小電流或脈沖電流測驗，內阻下降（由于結溫沒(méi)有大幅升高，沒(méi)熱堆集）。有的管子標稱(chēng)典型內阻和你自己用小電流測驗簡(jiǎn)直一樣，而有的管子自己小電流測驗比標稱(chēng)典型內阻低許多（由于它的測驗標準是大電流）。當然這兒也有廠(chǎng)家標示不嚴厲問(wèn)題，不要徹底信任。

所以挑選標準是------------找Qgs和Qgd小的mos管，并一起契合低內阻的mos管。

原因剖析：

1、過(guò)流的可能性一般，不掃除在裝車(chē)的時(shí)分，電池的電流瞬間超大，引起結溫過(guò)高；

2、過(guò)壓的可能性最小，電池電壓不會(huì )超越100V，會(huì )低于安全電壓；

3、靜電的可能情最大，靜電在各各環(huán)節中都有可能浸透

聯(lián)系方式：鄒先生

聯(lián)系電話(huà)：0755-83888366-8022

手機：18123972950

QQ：2880195519

聯(lián)系地址：深圳市福田區車(chē)公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1

請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號

請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供  MOS管  技術(shù)幫助