n溝道mos管-耗盡型和增強型mos管工作原理-可易亞
信息來(lái)源：本站 日期：2017-11-15
金屬-氧化物-半導體結構的晶體管簡(jiǎn)稱(chēng)MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構成的集成電路稱(chēng)為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構成的互補型MOS集成電路即為CMOS集成電路。
由p型襯底和兩個(gè)高濃度n擴散區構成的MOS管叫作n溝道MOS管，該管導通時(shí)在兩個(gè)高濃度n擴散區間構成n型導電溝道。n溝道加強型MOS管必需在柵極上施加正向偏壓，且只要柵源電壓大于閾值電壓時(shí)才有導電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。n溝道耗盡型MOS管是指在不加柵壓（柵源電壓為零）時(shí)，就有導電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。
從構造簡(jiǎn)單上看，N溝道耗盡型MOS管與N溝道加強型MOS管根本類(lèi)似,其區別僅在于柵－源極間電壓vGS=0時(shí)，耗盡型MOS管中的漏－源極間已有導電溝道產(chǎn)生，而增強型MOS管要在vGS≥VT時(shí)才呈現導電溝道。
緣由是制造N溝道耗盡型MOS管時(shí)，在SiO2絕緣層中摻入了大量的堿金屬正離子Na+或K+(制造P溝道耗盡型MOS管時(shí)摻入負離子)，因而即便vGS=0時(shí)，在這些正離子產(chǎn)生的電場(chǎng)作用下，漏－源極間的P型襯底外表也能感應生成N溝道(稱(chēng)為初始溝道)，只需加上正向電壓vDS，就有電流iD。假如加上正的vGS，柵極與N溝道間的電場(chǎng)將在溝道中吸收來(lái)更多的電子，溝道加寬，溝道電阻變小，iD增大。反之vGS為負時(shí)，溝道中感應的電子減少，溝道變窄，溝道電阻變大，iD減小。
當vGS負向增加到某一數值時(shí)，導電溝道消逝，iD趨于零，管子截止，故稱(chēng)為耗盡型。溝道消逝時(shí)的柵-源電壓稱(chēng)為夾斷電壓，仍用VP表示。與N溝道結型場(chǎng)效應管相同，N溝道耗盡型MOS管的夾斷電壓VP也為負值，但是，前者只能在vGS<0的狀況下工作。
后者在vGS=0，vGS>0，VP
相關(guān)搜索：
耗盡型場(chǎng)效應管 增強型nmos管工作原理 n溝道增強型mos管
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話(huà)：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區車(chē)公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
關(guān)注KIA半導體工程專(zhuān)輯請搜微信號:“KIA半導體”或點(diǎn)擊本文下方圖片掃一掃進(jìn)入官方微信“關(guān)注”
長(cháng)按二維碼識別關(guān)注
