mos管 mos管電壓如何正確選擇步驟-重點(diǎn)分析
信息來(lái)源：本站 日期：2017-10-23
常遇到MOS管Vgs電壓過(guò)大會(huì )損壞管子，但是從原理上看，似乎不然呀？
當vGS數值較小，吸收電子的才能不強時(shí)，漏——源極之間仍無(wú)導電溝道呈現，vGS增加時(shí)，吸收到P襯底外表層的電子就增加，當vGS到達某一數值 時(shí)，這些電子在柵極左近的P襯底外表便構成一個(gè)N型薄層，且與兩個(gè)N+區相連通，在漏——源極間構成N型導電溝道，其導電類(lèi)型與P襯底相反，構成反型層。
vGS越大，作用于半導體外表的電場(chǎng)就越強，吸收到P襯底外表的電子就越多，導電溝道越厚，溝道電阻越小。
即N溝道MOS管在vGS＜VT時(shí)，不能構成導電溝道，管子處于截止狀態(tài)。
只要當vGS≥VT時(shí)，才有溝道構成。溝道構成以后，在漏——源極間加上正向電壓vDS，就有漏極電流產(chǎn)生。
但是Vgs繼續加大，比方IRFPS40N60K
Vgs=100V時(shí)
Vds=0和Vds=400V，兩種狀況下，對管子功用帶來(lái)什么影響，若燒壞，緣由和內部機理過(guò)程是怎樣的呢？
Vgs增大會(huì )減小Rds（on）減小開(kāi)關(guān)損耗，但是同時(shí)會(huì )增大Qg，使得開(kāi)啟損耗變大，影響效率
1）MOSFET 的GS 電壓經(jīng)Vgg 對Cgs 充電而上升，抵達維持電壓Vth，MOSFET 開(kāi)端導電；
2）MOSFET 的DS 電流增加，Millier 電容在該區間內因DS 電容的放電而放電，對GS 電容的充電影響不大；
Qg=Cgs*Vgs, 但是電荷會(huì )持續積聚。
3）MOSFET 的DS 電壓降至與Vgs 相同的電壓，Millier 電容大大增加，外部驅動(dòng)電壓對Millier 電容停止充電，GS 電容的電壓不變，Millier 電容上電壓增加，而DS電容上的電壓繼續減??；
4）MOSFET 的DS 電壓降至飽和導通時(shí)的電壓，Millier 電容變小并和GS 電容一同由外部驅動(dòng)電壓充電，GS 電容的電壓上升；
N溝道的有國產(chǎn)的3D01，4D01，日產(chǎn)的3SK系列。G極（柵極）的確定：利用萬(wàn)用表的二極管檔。若某腳與其他兩腳間的正反壓降均大于2V，即顯示“1”，此腳即為柵極G。再交換表筆測量其余兩腳，壓降小的那次中，黑表筆接的是D極（漏極），紅表筆接的是S極（源極）。
