儲能電源,充電樁mos管3308,KNB3308A場(chǎng)效應管參數-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2024-05-31
KNB3308A場(chǎng)效應管是一款漏源擊穿電壓80V，漏極電流80A的出色器件，RDS（ON）值為6.2mΩ（在VGS=10V時(shí)為典型值），優(yōu)異的低導通電阻特性能夠降低導通損耗，還具有高雪崩電流，能夠在額定工作條件下穩定運行，確保電路的安全可靠性。采用了無(wú)鉛和綠色設計，符合環(huán)保要求，為電子產(chǎn)品的制造提供了可持續發(fā)展的解決方案。
KNB3308A適用于儲能電源、充電樁和DC-DC轉換器等場(chǎng)合，低Rds開(kāi)態(tài)特性可以最大限度地降低導通電阻，有效減少能量損耗，提高系統的效率和性能表現，適用于多種領(lǐng)域的電子設備設計。KNB3308A場(chǎng)效應管封裝形式：TO-263。
漏源電壓：80V
漏極電流：80A
漏源通態(tài)電阻(RDS(on))：6.2mΩ
柵源電壓：±25V
脈沖漏電流：340A
雪崩能量單脈沖：529MJ
總功耗：240W
總柵極電荷：76nC
輸入電容：3110PF
輸出電容：445PF
開(kāi)通延遲時(shí)間：20.4nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：63nS
上升時(shí)間：67ns
下降時(shí)間：43ns
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話(huà)：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區金田路3037號金中環(huán)國際商務(wù)大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助
免責聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來(lái)源其它出處，如有侵權，請聯(lián)系刪除。
