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?30n03場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù),30n03場(chǎng)效應(yīng)管代換,30n03參數(shù)-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2024-04-24 

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30n03場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù),30n03場(chǎng)效應(yīng)管代換,30n03參數(shù)-KIA MOS管


30n03參數(shù),30n03場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)

漏源電壓:30V

漏極電流:30A

漏源通態(tài)電阻(RDS(on)):15mΩ

柵源電壓:±20V

脈沖漏電流:60A

雪崩能量單脈沖:72MJ

總功耗:25W

輸入電容:572PF

輸出電容:81PF

總柵極電荷:7.2nC

開(kāi)通延遲時(shí)間:4.1nS

關(guān)斷延遲時(shí)間:15.5nS

上升時(shí)間:9.8ns

下降時(shí)間:6.0ns


KIA30N03B是性能最高的溝槽N溝道MOSFET,具有極高的單元密度,可為大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用提供出色的RDSON和柵極電荷。KIA30N03B符合RoHS和綠色產(chǎn)品要求,100%EAS保證,全功能可靠性獲得批準(zhǔn)。


KIA30N03B場(chǎng)效應(yīng)管具備出色的性能參數(shù),漏源擊穿電壓30V,漏極電流30A,采用先進(jìn)的高細(xì)胞密度溝槽技術(shù),具有超低的柵極電荷,RDS(開(kāi))參數(shù)為15mΩ @ VDS=30V,較低的導(dǎo)通電阻,有效減少能量損耗,出色的Cdv/dt效應(yīng)下降,能夠有效應(yīng)對(duì)瞬態(tài)電壓的變化,保障系統(tǒng)穩(wěn)定性。


KIA30N03B場(chǎng)效應(yīng)管100%的EAS保證,為用戶提供更加可靠的保障,符合綠色設(shè)備標(biāo)準(zhǔn),在環(huán)保節(jié)能方面表現(xiàn)出色,應(yīng)用在同步降壓變換器、DC-DC電源系統(tǒng)、負(fù)載開(kāi)關(guān)時(shí)能夠展現(xiàn)出卓越的性能,為設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行提供有力的支持。30n03場(chǎng)效應(yīng)管封裝形式:TO-251、TO-252。


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