4665參數(shù),4665場效應管,KNX4665B中文資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-04-11
KNX4665B場效應管具有高擊穿電壓、低導通電阻和低開關損耗等特點，漏源擊穿電壓高達650V，漏極電流7A，能夠承受較大的電壓壓力、良好的導電性能，RDS（ON）的典型值為1.1Ω，在VGS=10V時能夠?qū)崿F(xiàn)較低的導通電阻，具有較高的工作效率，還能夠?qū)崿F(xiàn)低柵極電荷最小化，有效降低開關損耗，提升整體性能。
KNX4665B場效應管符合ROHS標準、還配備了快速恢復體二極管，可以有效減少反向恢復時間，提高開關速度，降低損耗，特別適用于需要頻繁開關的場合，如開關電源和LED驅(qū)動，為電子設備的穩(wěn)定運行提供可靠保障。KNX4665B場效應管封裝形式：TO-252、TO-220F。
漏源電壓：650V
漏極電流：7A
漏源通態(tài)電阻(RDS(on))：1.1Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：28A
雪崩能量單脈沖：400MJ
最大功耗：75/42W
輸入電容：1048PF
輸出電容：98PF
總柵極電荷：24nC
開通延遲時間：12nS
關斷延遲時間：34nS
上升時間：12ns
下降時間：14ns
KNX4665B溝道增強型硅柵功率MOSFET專為高壓、高速功率開關應用而設計，如高效開關電源、有源功率因數(shù)校正、基于半橋拓撲的電子燈鎮(zhèn)流器等。
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)金田路3037號金中環(huán)國際商務大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權(quán)，請聯(lián)系刪除。
