2804場效應(yīng)管參數(shù),引腳圖,150A 40V參數(shù),KNX2804C-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-04-07
KNX2804C場效應(yīng)管漏源擊穿電壓40V，漏極電流150A，采用先進(jìn)的溝槽MOS技術(shù)，具有極低的導(dǎo)通電阻RDS（接通），能夠?qū)崿F(xiàn)高效的電路控制；2804場效應(yīng)管RDS（ON）為3.0mΩ，在10V的VGS條件下表現(xiàn)出優(yōu)異的性能，在電機控制、驅(qū)動系統(tǒng)、電池管理以及不間斷電源等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。
2804場效應(yīng)管具有出色的QgxRDS（on）產(chǎn)品（FOM），為電子設(shè)備提供了穩(wěn)定可靠的支撐，在功耗控制、電力驅(qū)動、電氣安全領(lǐng)域，都展現(xiàn)出卓越的性能和穩(wěn)定性，提高了電路的穩(wěn)定性和效率。KNX2804C封裝形式：TO-220、TO-263。
漏源電壓：40V
漏極電流：150A
漏源通態(tài)電阻(RDS(on))：3.0mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：320A
雪崩能量單脈沖：225MJ
最大功耗：230W
輸入電容：5900PF
輸出電容：690PF
總柵極電荷：120nC
開通延遲時間：28nS
關(guān)斷延遲時間：110nS
上升時間：68ns
下降時間：32ns
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