9n90c場效應(yīng)管參數(shù),9n90c代換,9n90參數(shù)引腳圖-KIA MOS管

9n90c場效應(yīng)管參數(shù),9n90參數(shù)

漏源電壓：900V

柵源電壓：±30V

漏電流連續(xù)：9.0A

脈沖漏極電流：36A

雪崩能量：900mJ

耗散功率：280W

熱電阻：40℃/W

漏源擊穿電壓：900V

柵極閾值電壓：3.0V

輸入電容：2780 PF

輸出電容：228 PF

上升時間：130 ns

封裝形式：TO-3P、247、220F

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9n90 N溝道增強型功率場效應(yīng)晶體管是使用Fairchild專有的平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)的。這項先進的技術(shù)經(jīng)過專門定制，可最大限度地減少導(dǎo)通電阻，提供卓越的開關(guān)性能，并在雪崩和換向模式下承受高能脈沖。這些設(shè)備非常適用于高效開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正、基于半橋拓撲的電子燈鎮(zhèn)流器。

KIA9N90場效應(yīng)管是一款性能卓越的功率器件，具有9A的電流承受能力和高達900V的電壓額定值；RDS（開啟）僅為1.12Ω，在VGS=10 V時表現(xiàn)出色；具有低柵極電荷，典型值為70 nC，以及低Crss，典型值為14pF，能夠在電路設(shè)計中更加靈活可靠。

KIA9N90場效應(yīng)管還具有快速切換的特點，能夠在工作中實現(xiàn)高效率的轉(zhuǎn)換；經(jīng)過100%的雪崩測試，在極端條件下依然穩(wěn)定可靠；改進的dv/dt能力使其在快速切換時具有更好的性能表現(xiàn)，有助于提高整個電路的響應(yīng)速度和穩(wěn)定性；符合RoHS標準，環(huán)保無污染，為電子設(shè)備提供穩(wěn)定可靠的支持。