?4n65場效應管參數引腳圖,4n65場效應管代換,4A 650V-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-03-06
4n65場效應管是使用KIA先進的平面條紋DMOS技術生產的，這項先進的技術經過特別定制，可最大限度地減少導通電阻，提供卓越的開關性能，并在雪崩和換向模式下承受高能脈沖。4n65場效應管非常適合高效開關模式電源，基于半橋拓撲的有功功率因數校正。
4n65場效應管漏極電流4A，漏源擊穿電壓為650V，RDS（開）=2.5Ω @ VGS=10V；4n65場效應管還具有低柵極電荷，典型值為16nC，為電路設計提供了更多的靈活性，并且它還擁有高堅固性，能夠在各種環(huán)境條件下可靠工作，確保設備的穩(wěn)定性和可靠性；快速切換是該器件的另一大特點，能夠帶來更高的效率和更快的響應速度；經過100%雪崩測試的驗證，保證了其在高壓下的可靠性和穩(wěn)定性。此外，改進的dv/dt能力使得它在高速開關應用中表現出色，能夠有效減少電路中的噪音和干擾。
KIA4N65H場效應管封裝形式：TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F，多種封裝選擇方便安裝使用；KIA4N65H能夠代換其他品牌4n65型號，是一款性能優(yōu)異且可靠耐用的器件，適用于各種功率電子應用領域。
漏源電壓：650V
柵源電壓：±30V
漏電流連續(xù)：4.0A
脈沖漏極電流：12A
雪崩能量：210mJ
耗散功率：58/104W
熱電阻：110℃/W
漏源擊穿電壓：650V
溫度系數：0.65V/℃
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：560 PF
輸出電容：55 PF
上升時間：40 ns
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