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30n50場效應(yīng)管參數(shù),代換,8150A場效應(yīng)管30A 500V-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2024-02-21 

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30n50場效應(yīng)管參數(shù),代換,8150A場效應(yīng)管30A 500V-KIA MOS管


30n50場效應(yīng)管參數(shù)

漏源電壓Vds:500V

柵源電壓Vgs:±30V

連續(xù)漏極電流Id,Tc=25℃:30A

連續(xù)漏極電流Id,Tc=100℃:18A

功率損耗Pd:300W

導(dǎo)通電阻ID=15A,VGS=10V:Typ:160mΩ,Max 200mΩ


30n50場效應(yīng)管參數(shù),KNH8150A參數(shù)資料

KNH8150A場效應(yīng)管采用高級(jí)平面工藝,漏源電壓500V,漏極電流30A,RDS(ON)=150mΩ(典型值)@VGS=10V;具備低柵極電荷最小化開關(guān)損耗,能夠穩(wěn)定可靠地工作,加固多晶硅柵極結(jié)構(gòu),提供了更高效的性能表現(xiàn)。


KNH8150A場效應(yīng)管廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、控制器、逆變器領(lǐng)域,非常穩(wěn)定可靠,能夠替代30n50型號(hào)場效應(yīng)管進(jìn)行使用,KNH8150A封裝形式:TO-3P。

30n50場效應(yīng)管參數(shù)

30n50場效應(yīng)管參數(shù),KNH8150A參數(shù)

漏源電壓:500V

漏極電流:30A

柵源電壓:±30V

脈沖漏電流:120A

雪崩能量單脈沖:2000MJ

最大功耗:333W

輸入電容:4152PF

輸出電容:506PF

反向傳輸電容:85PF

開通延遲時(shí)間:35nS

關(guān)斷延遲時(shí)間:109nS

上升時(shí)間:116ns

下降時(shí)間:75ns


30n50場效應(yīng)管參數(shù),KNH8150A規(guī)格書

30n50場效應(yīng)管參數(shù)

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KIA半導(dǎo)體是一家致力于功率半導(dǎo)體電子元器件研發(fā)與銷售的高新技術(shù)型企業(yè),竭誠服務(wù)全球開關(guān)電源、綠色照明、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設(shè)備、數(shù)碼家電、安防工程等行業(yè)長期合作伙伴,主動(dòng)了解客戶需求,不斷研發(fā)創(chuàng)新,為客戶提供綠色、節(jié)能、高效的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。


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