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13n50場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù),13n50場(chǎng)效應(yīng)管代換-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2024-02-19 

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13n50場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù),13n50場(chǎng)效應(yīng)管代換-KIA MOS管


13n50場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)引腳圖

KIA13N50H是一款N溝道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET,專為高壓、高速功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì),如高效開(kāi)關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正、基于半橋拓?fù)涞碾娮訜翩?zhèn)流器。


漏極至源極電壓(VDSS):500V

柵源電壓(VGSS):±30V

漏極電流 (連續(xù))(lD):13A

漏極和源極通態(tài)電阻(RDS(on)):0.4Ω

耗散功率(PD):195/48W

工作溫度:±150℃


KIA13N50H場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)13A 150V,RDS(ON)= 0.4Ω@ V GS = 10v;具有低柵極電荷(典型的45nc)、快速切換的能力、雪崩能量、改進(jìn)的dt/dt能力等特性,這款場(chǎng)效應(yīng)管適用于電子鎮(zhèn)流器、DC-AC電源轉(zhuǎn)換器、DC-DC電源轉(zhuǎn)換器、高壓H橋PMW馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、500W逆變器后級(jí)電路/開(kāi)關(guān)電源等產(chǎn)品。


KIA13N50H場(chǎng)效應(yīng)管封裝形式有TO-220、TO-220、TO-263可供選擇使用,方便安裝應(yīng)用,13N50場(chǎng)效應(yīng)管在開(kāi)關(guān)電源、逆變器、電動(dòng)車、LED照明、家電、鋰電保護(hù)、電機(jī)控制器等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用。

13n50場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)

13n50場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)詳情

漏源電壓:500V

漏極電流:13A

柵源電壓:±30V

雪崩能量單脈沖:860MJ

最大功耗:195/48W

輸入電容:1600PF

輸出電容:200PF

開(kāi)通延遲時(shí)間:25nS

關(guān)斷延遲時(shí)間:130nS

上升時(shí)間:100ns

下降時(shí)間:100ns


13n50場(chǎng)效應(yīng)管規(guī)格書

13n50場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)

13n50場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)


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