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irf840參數(shù)引腳圖,irf840場效應管代換,KIA840中文資料-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2024-02-04 

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irf840參數(shù)引腳圖

漏極電流 (ID) :8A

漏源擊穿電壓 (VDS(ON)) :500V

內(nèi)阻 (RDS(ON)Ω) :0.85Ω

柵極閾值電壓 (VGS(th) min) :2~4V

柵極電荷(Qg):63 nC

開啟電流 (IGFS(min) A) :250μA

功耗環(huán)境最大值 (PDM) :125W

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KIA840場效應管具有500V 8A的參數(shù),能夠滿足高壓高電流的需求。這款場效應管的RDS(ON)參數(shù)僅為0.7Ω(典型值)在VGS=10V時,這意味著它具有非常低的電阻,能夠有效降低能量損耗。KIA840場效應管能夠代換irf840型號進行使用,KIA840封裝有TO-252、TO-263、TO-220,多種封裝形式可供選擇,滿足各種應用場景。

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KIA840場效應管是一款適配器、電視電源、SMPS電源以及LCD面板電源等應用領(lǐng)域的理想選擇。它具有出色的性能指標,包括低電阻、低柵極電荷,在開關(guān)過程中能夠快速響應并提供穩(wěn)定的電流輸出;以及合理的峰值電流與脈沖寬度曲線,能夠穩(wěn)定可靠地滿足各種應用需求。同時,它的符合RoHS標準,具備環(huán)境友好性,是一款值得信賴的電子器件。


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漏源電壓:500V

漏極電流:8A

柵源電壓:±20V

脈沖漏電流:28A

雪崩能量單脈沖:400MJ

最大功耗:100/160W

輸入電容:960PF

輸出電容:110PF

開通延遲時間:11nS

關(guān)斷延遲時間:46nS

上升時間:17ns

下降時間:22ns


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