一、用指針式萬(wàn)用表對場(chǎng)效應管進(jìn)行判別

（1）用測電阻法判別結型場(chǎng)效應管的電極

依據場(chǎng)效應管的PN結正、反向電阻值不一樣的現象，能夠判別出結型場(chǎng)效應管的三個(gè)電極。詳細辦法：將萬(wàn)用表?yè)茉赗×1k檔上，任選兩個(gè)電極，分別測出其正、反向電阻值。當某兩個(gè)電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時(shí)，則該兩個(gè)電極分別是漏極D和源極S。由于對結型場(chǎng)效應管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極Ｇ。也能夠將萬(wàn)用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個(gè)電極，另一只表筆依次去接觸其他的兩個(gè)電極，測其電阻值。當呈現兩次測得的電阻值近似相等時(shí)，則黑表筆所接觸的電極為柵極，其他兩電極分別為漏極和源極。若兩次測出的電阻值均很大，闡明是ＰＮ結的反向，即都是反向電阻，能夠斷定是Ｎ溝道場(chǎng)效應管，且黑表筆接的是柵極；若兩次測出的電阻值均很小，闡明是正向ＰＮ結，即是正向電阻，斷定為Ｐ溝道場(chǎng)效應管，黑表筆接的也是柵極。若不呈現上述狀況，能夠互換黑、紅表筆按上述辦法停止測試，直到判別出柵極為止。

（2）用測電阻法判別場(chǎng)效應管的好壞

測電阻法是用萬(wàn)用表測量場(chǎng)效應管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極Ｇ1與柵極Ｇ2之間的電阻值同場(chǎng)效應管手冊標明的電阻值能否相符去判別管的好壞。詳細辦法：首先將萬(wàn)用表置于Ｒ×10或Ｒ×100檔，丈量源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊中可知，各種不同型號的管，其電阻值是各不相同的），假如測得阻值大于正常值，可能是由于內部接觸不良；假如測得阻值是無(wú)量大，可能是內部斷極。然后把萬(wàn)用表置于Ｒ×１０ｋ檔，再測柵極Ｇ1與Ｇ2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值，當測得其各項電阻值均為無(wú)量大，則闡明管是正常的；若測得上述各阻值太小或為通路，則闡明管是壞的。要留意，若兩個(gè)柵極在管內斷極，可用元件代換法進(jìn)行檢測。

（3）用感應信號輸人法估測場(chǎng)效應管的放大能力

詳細辦法：用萬(wàn)用表電阻的R×100檔，紅表筆接源極Ｓ，黑表筆接漏極Ｄ，給場(chǎng)效應管加上1。5Ｖ的電源電壓，此時(shí)表針指示出的漏源極間的電阻值。然后用手捏住結型場(chǎng)效應管的柵極Ｇ，將人體的感應電壓信號加到柵極上。這樣，由于管的放大作用，漏源電壓VDS和漏極電流Iｂ都要發(fā)作變化，也就是漏源極間電阻發(fā)作了變化，由此能夠察看到表針有較大幅度的擺動(dòng)。假如手捏柵極表針擺動(dòng)較小，闡明管的放大才能較差；表針擺動(dòng)較大，標明管的放大才能大；若表針不動(dòng)，闡明管是壞的。
依據上述辦法，我們用萬(wàn)用表的R×100檔，測結型場(chǎng)效應管3DJ2F。先將管的Ｇ極開(kāi)路，測得漏源電阻RDS為600Ω，用手捏?。菢O后，表針向左擺動(dòng)，指示的電阻RDS為12kΩ，表針擺動(dòng)的幅度較大，闡明該管是好的，并有較大的放大才能。

運用這種辦法時(shí)要闡明幾點(diǎn)：首先，在測試場(chǎng)效應管用手捏住柵極時(shí)，萬(wàn)用表針可能向右擺動(dòng)（電阻值減?。?，也可能向左擺動(dòng)（電阻值增加）。這是由于人體感應的交流電壓較高，而不同的場(chǎng)效應管用電阻檔丈量時(shí)的工作點(diǎn)可能不同（或者工作在飽和區或者在不飽和區）所致，實(shí)驗標明，多數管的RDS增大，即表針向左擺動(dòng)；少數管的RDS減小，使表針向右擺動(dòng)。但無(wú)論表針擺動(dòng)方向如何，只需表針擺動(dòng)幅度較大，就闡明管有較大的放大才能。第二，此辦法對MOS場(chǎng)效應管也適用。但要留意，MOS場(chǎng)效應管的輸人電阻高，柵極Ｇ允許的感應電壓不應過(guò)高，所以不要直接用手去捏柵極，必需用于握螺絲刀的絕緣柄，用金屬桿去碰觸柵極，以避免人體感應電荷直接加到柵極，引起柵極擊穿。第三，每次測量完畢，應當G-S極間短路一下。這是由于G-S結電容上會(huì )充有少量電荷，樹(shù)立起VGS電壓，形成再停止測量時(shí)表針可能不動(dòng)，只要將G-S極間電荷短路放掉才行。

（4）用測電阻法判別無(wú)標志的場(chǎng)效應管

首先用測量電阻的辦法找出兩個(gè)有電阻值的管腳，也就是源極Ｓ和漏極Ｄ，余下兩個(gè)腳為第一柵極G1和第二柵極G2。把先用兩表筆測的源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻值記下來(lái)，對調表筆再測量一次，把其測得電阻值記下來(lái)，兩次測得阻值較大的一次，黑表筆所接的電極為漏極Ｄ；紅表筆所接的為源極Ｓ。用這種辦法判別出來(lái)的Ｓ、Ｄ極，還能夠用估測其管的放大才能的辦法停止考證，即放大才能大的黑表筆所接的是Ｄ極；紅表筆所接地是８極，兩種辦法檢測結果均應一樣。當肯定了漏極Ｄ、源極Ｓ的位置后，按Ｄ、Ｓ的對應位置裝人電路，普通G1、G2也會(huì )依次對準位置，這就肯定了兩個(gè)柵極G1、G2的位置，從而就肯定了Ｄ、S、G1、G2管腳的順序。

（5）用測反向電阻值的變化判別跨導的大小
對VMOS N溝道加強型場(chǎng)效應管丈量跨導性能時(shí)，可用紅表筆接源極Ｓ、黑表筆接漏極Ｄ，這就相當于在源、漏極之間加了一個(gè)反向電壓。此時(shí)柵極是開(kāi)路的，管的反向電阻值是很不穩定的。將萬(wàn)用表的歐姆檔選在R×10kΩ的高阻檔，此時(shí)表內電壓較高。當用手接觸柵極Ｇ時(shí)，會(huì )發(fā)現管的反向電阻值有明顯地變化，其變化越大，闡明管的跨導值越高；假如被測管的跨導很小，用此法測時(shí)，反向阻值變化不大。

二、場(chǎng)效應管的運用注意事項

（1）為了安全使用場(chǎng)效應管，在線(xiàn)路的設計中不能超越管的耗散功率，最大漏源電壓、最大柵源電壓和最大電流等參數的極限值。


（2）各類(lèi)型場(chǎng)效應管在運用時(shí)，都要嚴格按請求的偏置接人電路中，要恪守場(chǎng)效應管偏置的極性。如結型場(chǎng)效應管柵源漏之間是ＰＮ結，Ｎ溝道管柵極不能加正偏壓；Ｐ溝道管柵極不能加負偏壓，等等。

（3）MOS場(chǎng)效應管由于輸人阻抗極高，所以在運輸、貯藏中必需將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝，以避免外來(lái)感應電勢將柵極擊穿。特別要留意，不能將MOS場(chǎng)效應管放人塑料盒子內，保管時(shí)最好放在金屬盒內，同時(shí)也要注意管的防潮。

（4）為了避免場(chǎng)效應管柵極感應擊穿，請求一切測試儀器、工作臺、電烙鐵、線(xiàn)路自身都必需有良好的接地；管腳在焊接時(shí)，先焊源極；在連入電路之前，管的全部引線(xiàn)端堅持相互短接狀態(tài)，焊接完后才把短接資料去掉；從元器件架上取下管時(shí)，應以恰當的方式確保人體接地如采用接地環(huán)等；當然，假如能采用先進(jìn)的氣熱型電烙鐵，焊接場(chǎng)效應管是比擬便當的，并且確保平安；在未關(guān)斷電源時(shí)，絕對不能夠把管插人電路或從電路中拔出。以上平安措施在運用場(chǎng)效應管時(shí)必需留意。

（5）在裝置場(chǎng)效應管時(shí)，留意裝置的位置要盡量防止靠近發(fā)熱元件；為了防管件振動(dòng)，有必要將管殼體緊固起來(lái)；管腳引線(xiàn)在彎曲時(shí)，應當大于根部尺寸５毫米處停止，以避免彎斷管腳和引起漏氣等。

關(guān)于功率型場(chǎng)效應管，要有良好的散熱條件。由于功率型場(chǎng)效應管在高負荷條件下運用，必需設計足夠的散熱器，確保殼體溫度不超越額定值，使器件長(cháng)期穩定牢靠地工作。

總之，確保場(chǎng)效應管平安運用，要留意的事項是多種多樣，采取的平安措施也是各種各樣，廣大的專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員，特別是廣闊的電子喜好者，都要依據本人的實(shí)踐狀況動(dòng)身，采取實(shí)在可行的方法，安全有效地用好場(chǎng)效應管。

三、VMOS場(chǎng)效應管

VMOS場(chǎng)效應管（VMOSFET）簡(jiǎn)稱(chēng)VMOS管或功率場(chǎng)效應管，其全稱(chēng)為V型槽MOS場(chǎng)效應管。它是繼MOSFET之后新開(kāi)展起來(lái)的高效、功率開(kāi)關(guān)器件。它不只繼承了MOS場(chǎng)效應管輸入阻抗高（≥108W）、驅動(dòng)電流?。?。1μA左右），還具有耐壓高（最高1200V）、工作電流大（1。5A～100A）、輸出功率高（1～250W）、跨導的線(xiàn)性好、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)秀特性。正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身，因而在電壓放大器（電壓放大倍數可達數千倍）、功率放大器、開(kāi)關(guān)電源和逆變器中正取得普遍應用。

VMOS場(chǎng)效應功率管具有極高的輸入阻抗及較大的線(xiàn)性放大區等優(yōu)點(diǎn)，特別是其具有負的電流溫度系數，即在柵-源電壓不變的狀況下，導通電流會(huì )隨管溫升高而減小，故不存在由于“二次擊穿”現象所惹起的管子損壞現象。因而，VMOS管的并聯(lián)得到普遍應用。

眾所周知，傳統的MOS場(chǎng)效應管的柵極、源極和漏極大大致處于同一程度面的芯片上，其工作電流根本上是沿程度方向活動(dòng)。VMOS管則不同，從圖1上能夠看出其兩大構造特性：第一，金屬柵極采用V型槽構造；第二，具有垂直導電性。由于漏極是從芯片的反面引出，所以ID不是沿芯片程度活動(dòng)，而是自重摻雜N+區（源極S）動(dòng)身，經(jīng)過(guò)P溝道流入輕摻雜N-漂移區，最后垂直向下抵達漏極D。電流方向如圖中箭頭所示，由于流通截面積增大，所以能經(jīng)過(guò)大電流。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層，因而它仍屬于絕緣柵型MOS場(chǎng)效應管。

下面引見(jiàn)檢測VMOS管的辦法：
1．斷定柵極G
將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1k檔分別測量量三個(gè)管腳之間的電阻。若發(fā)現某腳與其字兩腳的電阻均呈無(wú)量大，并且交流表筆后仍為無(wú)量大，則證明此腳為G極，由于它和另外兩個(gè)管腳是絕緣的。

2．斷定源極S、漏極D

由圖1可見(jiàn)，在源-漏之間有一個(gè)PN結，因而依據PN結正、反向電阻存在差別，可辨認S極與D極。用交流表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（普通為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時(shí)黑表筆的是S極，紅表筆接D極。

3．測量漏-源通態(tài)電阻RDS（on）
將G-S極短路，選擇萬(wàn)用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應為幾歐至十幾歐。

由于測試條件不同，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。例如用500型萬(wàn)用表R×1檔實(shí)測一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。

4．檢查跨導

將萬(wàn)用表置于R×1k（或R×100）檔，紅表筆接S極，黑表筆接D極，手持螺絲刀去碰觸柵極，表針應有明顯偏轉，偏轉愈大，管子的跨導愈高。

四、注意事項

（1）VMOS管亦分N溝道管與P溝道管，但絕大多數產(chǎn)品屬于N溝道管。關(guān)于P溝道管，測量時(shí)應交流表筆的位置。

（2）有少數VMOS管在G-S之間并有維護二極管，本檢測辦法中的1、2項不再適用。

（3）目前市場(chǎng)上還有一種VMOS管功率模塊，專(zhuān)供交流電機調速器、逆變器運用。例如美國IR公司消費的IRFT001型模塊，內部有N溝道、P溝道管各三只，構成三相橋式構造。

（4）如今市售VNF系列（N溝道）產(chǎn)品，是美國Supertex公司消費的超高頻功率場(chǎng)效應管，其最高工作頻率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信號低頻跨導gm=2000μS。適用于高速開(kāi)關(guān)電路和播送、通訊設備中。

（5）運用VMOS管時(shí)必需加適宜的散熱器后。以VNF306為例，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后，最大功率才能達到30W。

（6）多管并聯(lián)后，由于極間電容和散布電容相應增加，使放大器的高頻特性變壞，經(jīng)過(guò)反應容易惹起放大器的高頻寄生振蕩。為此，并聯(lián)復合管管子普通不超越4個(gè)，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻。

五、怎樣識別場(chǎng)效應管

場(chǎng)效應管的文字符號為“VT”，圖形符號如圖4-22所示。

場(chǎng)效應管一般具有3個(gè)引腳，分別是柵極G、源極S和漏極D，它們的功能分別對應于雙極型晶體管的基極b、發(fā)射極e和集電極c。由于場(chǎng)效應管的源極s和漏極D是對稱(chēng)的，實(shí)際使用中可以互換。雙柵極場(chǎng)效應管具有4個(gè)引腳，分別是柵極G1和G2、源極s和漏極D。常用場(chǎng)效應管的引腳如圖4-23所示，使用中應注意識別。

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