?充電模塊,?500v 13a mos管,?KNX6450A場效應管參數(shù)-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-02-02
KNX6450A場效應管漏源電壓500V，漏極電流13A，RDS（ON），典型=0.40Ω@VGS=10V；具備低柵極電荷，最小化了開關損耗，能夠穩(wěn)定可靠地工作，同時具備快速恢復體二極管，提供了更高效的性能表現(xiàn)。
KNX6450A功率MOSFET封裝形式：TO-220、TO-220F，專為高壓、高速功率開關應用而設計，如高效開關電源、有源功率因數(shù)校正、基于歐姆橋拓撲的電子燈鎮(zhèn)流器；以及在電氣設備、調光器模塊、充電模塊廣泛應用。
漏源電壓：500V
漏極電流：13A
柵源電壓：±30V
脈沖漏極電流：52A
雪崩能量：900mJ
耗散功率：195W
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：2149PF
輸出電容：211PF
開通延遲時間：15nS
關斷延遲時間：46nS
上升時間：24ns
下降時間：34ns
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