調(diào)光器模塊mos管,KNX7650A場(chǎng)效應(yīng)管,500V 25A參數(shù)資料-KIA MOS管

調(diào)光器模塊mos管,KNX7650A場(chǎng)效應(yīng)管

KNX7650A場(chǎng)效應(yīng)管采用高級(jí)平面工藝制造，具備漏源電壓500V和漏極電流25A的特性，RDS（ON）（典型值）為170mΩ@VGS=10V，封裝形式：TO-220F、TO-3P；KNX7650A是一款在電氣設(shè)備、調(diào)光器模塊、充電模塊領(lǐng)域的專用MOS管。

調(diào)光器模塊mos管,KNX7650A場(chǎng)效應(yīng)管

KNX7650A場(chǎng)效應(yīng)管采用了加固多晶硅柵極結(jié)構(gòu)，具備低柵極電荷最小化和開關(guān)損耗低的特點(diǎn)，使其能夠在高效開關(guān)電源、無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器以及電焊機(jī)等應(yīng)用中發(fā)揮重要作用。通過使用KNX7650A場(chǎng)效應(yīng)管，可以使這些設(shè)備的性能得到提升，同時(shí)還能提高系統(tǒng)的效率。

調(diào)光器模塊mos管,KNX7650A場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)：

漏源電壓：500V

漏極電流：25A

柵源電壓：±30V

脈沖漏電流：100A

雪崩能量單脈沖：1800MJ

最大功耗：105/290W

輸入電容：4280pF

輸出電容：1400pF

反向轉(zhuǎn)移電容：185pF

開通延遲時(shí)間：24nS

關(guān)斷延遲時(shí)間：100nS

上升時(shí)間：40ns

下降時(shí)間：35ns

調(diào)光器模塊mos管,KNX7650A場(chǎng)效應(yīng)管規(guī)格書

調(diào)光器模塊mos管,KNX7650A場(chǎng)效應(yīng)管

KIA半導(dǎo)體主營(yíng)半導(dǎo)體產(chǎn)品豐富，是一家國(guó)產(chǎn)MOS管廠家。專業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)、超結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管、碳化硅二極管、碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設(shè)計(jì)，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。