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鋰電池保護(hù)板MOS管,KNX3303B參數(shù)引腳圖,30V 90A-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2024-01-10 

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鋰電池保護(hù)板MOS管,KNX3303B參數(shù)引腳圖,30V 90A-KIA MOS管


保護(hù)板MOS管,KNX3303B中文資料

KNX3303B是一款漏極電流90A,漏源擊穿電壓30V的場效應(yīng)管,RDS(ON)=2.6mΩ(typ.)@VGS=10V ,極低導(dǎo)通電阻RDS(On)能夠減少導(dǎo)通損耗,還具有低Crss、快速切換、100%雪崩測試、改進(jìn)的dv/dt能力。封裝形式:DFN5*6。


KNX3303B 參數(shù)90A 30V功率MOSFET是使用KIA先進(jìn)的TRENCH技術(shù)生產(chǎn)的。這項(xiàng)先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)過特別定制,可最大限度地減少導(dǎo)通損耗,提供卓越的開關(guān)性能,并在雪崩和換向模式下承受高能脈沖。KNX3303B場效應(yīng)管在鋰電池保護(hù)板領(lǐng)域熱銷,也非常適合用于PWM應(yīng)用、負(fù)載開關(guān)、電源管理等產(chǎn)品,能夠提供高效的電能轉(zhuǎn)化,優(yōu)化電池的充電和放電過程,延長電池使用壽命,高效率和高可靠性。

保護(hù)板MOS管,KNX3303B

保護(hù)板MOS管,KNX3303B參數(shù):

漏源極電壓:30V

漏極電流:90A

柵源電壓:±20V

脈沖漏電流:360A

雪崩能量單脈沖:342MJ

最大功耗:68W

柵極閾值電壓:2V

輸入電容:4002PF

輸出電容:438PF

開通延遲時(shí)間:15nS

關(guān)斷延遲時(shí)間:42nS

上升時(shí)間:19ns

下降時(shí)間:11ns


保護(hù)板MOS管,KNX3303B規(guī)格書

保護(hù)板MOS管,KNX3303B

保護(hù)板MOS管,KNX3303B

是一家致力于功率半導(dǎo)體電子元器件研發(fā)與銷售的高新技術(shù)型企業(yè),KIA半導(dǎo)體MOS管具備強(qiáng)大的核心競爭力,是開關(guān)電源生產(chǎn)廠家的優(yōu)質(zhì)選擇。KIA半導(dǎo)體MOS管廠家主要研發(fā)、生產(chǎn)、經(jīng)營:場效應(yīng)管(MOS管)、COOL MOS(超結(jié)場效應(yīng)管)、三端穩(wěn)壓管、快恢復(fù)二極管;廣泛應(yīng)用于逆變器、鋰電池保護(hù)板、電動(dòng)車控制器、HID車燈、LED燈、無刷電機(jī)、礦機(jī)電源、工業(yè)電源、適配器、3D打印機(jī)等領(lǐng)域;可申請(qǐng)免費(fèi)送樣以及報(bào)價(jià)、技術(shù)支持服務(wù)。


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