場效應(yīng)管開關(guān)電路,電路設(shè)計(jì)圖文分享-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-01-09
下圖所示的電路中，增強(qiáng)型 N 溝道m(xù)os管用于切換簡單的燈“ON”和“OFF”（也可以是 LED）。
柵極輸入電壓VGS被帶到適當(dāng)?shù)?/span>正電壓電平以打開器件，因此燈負(fù)載要么“打開”，（V GS = +ve），要么處于將器件“關(guān)閉”的零電壓電平，（VGS = 0V）。
如果燈的電阻負(fù)載要由電感負(fù)載（如線圈、螺線管或繼電器）代替，則需要與負(fù)載并聯(lián)一個“續(xù)流二極管”，以保護(hù)mos管免受任何自生反電動勢的影響。
這是一個非常簡單的電路，用于切換電阻負(fù)載，例如燈或 LED。但是，當(dāng)使用功率mos管切換感性或容性負(fù)載時，需要某種形式的保護(hù)來防止mos管器件受損。驅(qū)動感性負(fù)載與驅(qū)動容性負(fù)載的效果相反。
例如，沒有電荷的電容是短路的，導(dǎo)致高“涌入”電流，當(dāng)我們從感性負(fù)載上移除電壓時，隨著磁場崩潰，我們會產(chǎn)生很大的反向電壓，從而導(dǎo)致感應(yīng)繞組中的感應(yīng)反電動勢。
一個簡單的電路，其中 N 溝道增強(qiáng)模式mos管將打開或關(guān)閉燈。為了將mos管用作開關(guān)，它必須工作在截止和線性（或三極管）區(qū)域。
假設(shè)設(shè)備最初是關(guān)閉的。柵極和源極之間的電壓，即 V GS適當(dāng)?shù)卦O(shè)為正值（從技術(shù)上講，V GS > V TH），MOSFET 進(jìn)入線性區(qū)域并且開關(guān)導(dǎo)通。這使燈打開。
如果輸入柵極電壓為 0V（或技術(shù)上 < V TH），則mos管進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)并關(guān)閉。這反過來會使燈關(guān)閉。
兩種MOS管的典型應(yīng)用：
第一種NMOS管為高電平導(dǎo)通，低電平截斷，Drain端接后面電路的接地端；
第二種為PMOS管典型開關(guān)電路，為高電平斷開，低電平導(dǎo)通，Drain端接后面電路的VCC端。
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