AOD4454參數(shù),aod4454參數(shù)及代換,KNX7115A-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-12-18
VDS：150V
ID (at VGS=10V)：20A
RDS(ON) (at VGS=10V) < 94mΩ
RDS(ON) (at VGS=7V) < 110mΩ
漏源極電壓(Vds)：150 V
連續(xù)漏極電流(Ids)：20A
上升時(shí)間：5.5 ns
輸入電容(Ciss)：985pF @75V(Vds)
額定功率(Max)：2.5 W
下降時(shí)間：3 ns
耗散功率(Max)：2.5W (Ta), 100W (Tc)
KNX7115A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓150V，漏極電流20A，RDS(on)=77mΩ@VGS=10V；KNX7115A能夠代換aod4454型號(hào)，在LED驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域熱銷，封裝形式：TO-252、TO-251。
KNX7115A是性能出色的溝槽式N溝MOSFET，具有極高的單元密度，出色的Cdv/dt效應(yīng)下降，可為大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用提供出色的RDSON和柵極電荷；KNX7115A滿足RoHs和綠色產(chǎn)品要求，100%EAS保證，高效穩(wěn)定。
漏源電壓：150V
柵源電壓:±20V
功率耗散:72.6 W
脈沖漏電流:40A
單脈沖雪崩能量：53MJ
雪崩電流:18A
漏源擊穿電壓:150V
輸入電容：2285pF
輸出電容：110pF
反向轉(zhuǎn)移電容：83pF
開通延遲時(shí)間：13nS
上升時(shí)間：8.2nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：25nS
下降時(shí)間：11nS
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