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pnp放大區(qū),飽和區(qū),截止區(qū)條件-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2023-12-18 

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導通、截至、飽和條件

pnp放大區(qū),飽和區(qū),截止區(qū)

電流關(guān)系:IE=IC+IB

當VE>VB>VC時,即發(fā)射極正偏,集電極反偏,三極管處于放大狀態(tài);

當VE>VC>VB時,即發(fā)射極正偏,集電極正偏,三極管處于飽和狀態(tài);

當VB>VE>VC時,即發(fā)射極反偏,集電極反向,三極管處于截止狀態(tài);


pnp放大狀態(tài):

放大區(qū):發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏

Ub<Ue,Ub>Uc

pnp放大區(qū),飽和區(qū),截止區(qū)

pnp飽和狀態(tài):

發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)正偏

Ue>Ub,Uc>Ub

pnp放大區(qū),飽和區(qū),截止區(qū)

pnp截止狀態(tài):

pnp放大區(qū),飽和區(qū),截止區(qū)

對于PNP型三極管,發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)反偏就是指集電極電壓小于基極電壓,發(fā)射極電壓小于基極電壓。(以PN結(jié)指向為參考)

Ub>Uc,Ub>Ue PN結(jié)直接處于截止狀態(tài)。


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