RC復(fù)位電路圖,RC復(fù)位電路設(shè)計-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-12-14
如下圖所示，R1與C1組成積分電路，R2與C2組成微分電路。
在應(yīng)用中經(jīng)常會使用RC對單片機進行復(fù)位設(shè)計，比如Vo接單片機復(fù)位端，單片機有的需要低電平復(fù)位，而有的需要高電平復(fù)位，復(fù)位的時間也有明確的要求，下面分享2個案例。
設(shè)計一
1.要求低電平復(fù)位
2.低于1V以下維持10ms+
要求低電平復(fù)位，即選擇RC積分電路，因為上電瞬間C1呈短路狀態(tài)，所以Vo為低電平，由于電阻R1的存在，使Vo從0V電平呈指數(shù)規(guī)律慢慢上升，當上升到1V的時間要求大于10ms。
計算過程：
選常用電容參數(shù)4.7uf即可達到要求，在實際應(yīng)用中還需要考慮一些余量，比如電阻、電容參數(shù)存在誤差，5V電壓也存在誤差，會造成時間改變。
設(shè)計二
1.要求高電平復(fù)位
2.高于4V以上維持10ms+
要求高電平復(fù)位，即選擇RC微分電路，因為上電瞬間C2呈短路狀態(tài)，所以Vo為5V電平，由于電阻R1的存在，使Vo電平從5V呈指數(shù)規(guī)律慢慢下降，當下降到4V時要求大于10ms。
計算過程并沒有多大差異，只是第一個公式稍稍變化。
模擬仿真，積分電路由R1和C1組成，從Vo1輸出，為方便觀察和對比，將微分電路C2和R2一起接入，由Vo2輸出。
仿真原理圖如下圖2所示，仿真結(jié)果波形如下圖3所示：
仿真圖3中的綠線為積分電路輸出Vo1，紅線為微分電路輸出Vo2。可以看到，綠線（積分輸出Vo1）在1.02V左右時的時間為10.7ms，紅線（微分輸出Vo2）在4.02V左右的時間為10.1ms，說明符合設(shè)計要求。
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)金田路3037號金中環(huán)國際商務(wù)大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助
免責聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權(quán)，請聯(lián)系刪除。
