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簡(jiǎn)單mos管功放作用,mos管的功放優(yōu)缺點(diǎn)-技術(shù)文章

信息來(lái)源:本站 日期:2017-09-21 

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簡(jiǎn)單場(chǎng)效應管功放

場(chǎng)應管偶次諧波豐厚,聽(tīng)感頗有電子管的風(fēng)味。而且其輸出功率相比電子管能夠做得很大,且本錢(qián)不高,所以前級配場(chǎng)效應管功放,在發(fā)燒圈內很流行。 本電路輸入局部較為簡(jiǎn)沾。采用一對性能指標完整分歧的音頻低噪聲管C1815組成差分放大電路。由負載輸出端的33kΩ電阻和1kΩ電阻經(jīng)分壓反應到BG2的基極,自動(dòng)均衡輸出管的工作電壓,省去調整中點(diǎn)電壓的費事,實(shí)測<50mV。

BG3是一級恒流源,以改善差分放大電路的共模抑止比。其基極電位是由發(fā)光二極管提供,性能和信噪比優(yōu)于穩壓二極管,使BG3的基極電位控制在1.8V左右。工作時(shí),該管還可起到指示燈的作用。BG5是另一級恒流源,使BG4的電壓增益有較大進(jìn)步。

BG6、BG7、BG8為中功率電壓放大推進(jìn)管。其中BG6起到調整整機靜態(tài)電流的作用,調整元件只要帶鎖緊螺栓的VR一個(gè)。調試前,該可調電阻置于中間位置,用1A直流電流表串接在正電源和二只功率管的D極,微調VR,阻值大則電流大,普通調整在200mA左右,并鎖緊可調電阻。由于場(chǎng)效應管的負溫度特性,靜態(tài)電流會(huì )自動(dòng)減流。但不會(huì )影響整機的正常工作。8只場(chǎng)敏應管應盡最配對分歧,這樣可避免某管發(fā)熱最大的情況。K85l、K854等場(chǎng)效應管拆機品價(jià)錢(qián)非常低廉,性能穩定,音質(zhì)表現較好。

本機耦合電容器儀有輸入端每聲道一個(gè),一定要采用CBB無(wú)感電容。筆者經(jīng)過(guò)實(shí)驗。任何電解電容(包括極品),由于存在一定的漏電率。卷繞電感和轉換速率低等缺陷,在大音狀態(tài)下都不能勝任。聲音聽(tīng)感欠佳。

電源采用100W以上變壓器。次級交流電壓為2x26V或2x28V。整流橋電流大于l0A。用4只6800μF/50VELNA高速電解電容作濾波。并且并聯(lián)上lμFCBB電容作高頻退耦。

揚聲器維護電路裝置完成后,可實(shí)驗一下能否正常,辦法是單獨接通維護器電源,兒秒鐘內繼電器J虛吸合。在10kΩ電阻上端與地接1.5V干電池。繼電器又馬上斷開(kāi)。標明工作正常。 輸入端電他器中心點(diǎn)接頭,由R、C和K組成超低音提升電路。小音最時(shí)按下開(kāi)關(guān)后,低音得到明顯提升,覺(jué)得聲浪陣陣而來(lái),效果確實(shí)不錯。


優(yōu)點(diǎn):

1、MOS 管功放具有鼓勵功率小,輸出功率大,輸出漏極電流具有負溫度系數,平安牢靠,且有工作頻率高,偏置簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。以運放的輸出作為OCL 的輸入,到達抑止零點(diǎn)漂移的效果。

2、中音厚,沒(méi)有三極管那么大的交越失真。

電流推進(jìn)級通常由一至二級組成,為了降低輸出阻抗、增加阻尼系數,常采用二級電流推進(jìn)。為了防止電流推進(jìn)級產(chǎn)生開(kāi)關(guān)失真,較好的作法是、采用MOS管并增大本級的靜態(tài)電流,這樣本級不會(huì )產(chǎn)生開(kāi)關(guān)失真,由于任何狀況下電流推進(jìn)級一直處于放大區,所以電流輸出級也一直處于放大區,因而輸出級同樣不會(huì )產(chǎn)生開(kāi)關(guān)失真和交越失真。

3、MOS管的線(xiàn)性比晶體管好。

缺點(diǎn):

1、低頻的溫和度比晶體管功放差,MOSFET開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應管容易被輸出和輸入過(guò)載損壞,MOSFET場(chǎng)效應晶體管既具有晶體管的根本優(yōu)點(diǎn)。但運用不久發(fā)現這種功放的牢靠性不高(無(wú)法外電路維護),開(kāi)關(guān)速度進(jìn)步得不多和最大輸出功率僅為150W/8Ω等。90年代初,MOSFET的制造技術(shù)有了很大打破,呈現了一種高速MOSFET大功率開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應晶體管。西班牙藝格公司(ECLER)經(jīng)多年研討,攻克了非毀壞性維護系統的SPM專(zhuān)利技術(shù),推出了集電子管功放和晶體管功放兩者優(yōu)點(diǎn)分離的第3代功放產(chǎn)品,在歐洲市場(chǎng)上取得了認可,并逐漸在世界上得到了應用。第3代MOSFET功放的中頻和高頻音質(zhì)接近電子管功放,但低頻的溫和度比晶體管功放差一些,此外MOSFET開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應管容易被輸出和輸入過(guò)載損壞。

2、開(kāi)啟電壓太高。

3、偏流開(kāi)很大,還是有一定的交越失真,沒(méi)交越失真,差不多能夠趕上三極管的甲類(lèi)輸出功耗。

4、MOS管不好配對在同一批次管,相對來(lái)說(shuō)要好配對一點(diǎn)。

5、MOS管的低頻下太硬,用MOS功放聽(tīng)出所謂電子管音色有一個(gè)簡(jiǎn)單方法,把普通三極管功放里的電壓推進(jìn)三極管換成JFET,JFET才真正具有電子管音色。



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