nce01p18k參數(shù)及代換,nce01p18k引腳圖,KIA23P10A-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-12-06
VDS =-100V,ID =-18A
RDS(ON) <100mΩ @ VGS=-10V (Typ:85mΩ)
RDS(ON) <120mΩ @ VGS=-10V (Typ:95mΩ)
漏源極擊穿電壓（最大）：-100V
連續(xù)漏極電流（最大）：-18A
功率耗散（最大）：70W
柵源極擊穿電壓：20V
漏源導(dǎo)通電阻（典型值）(10V)：85mΩ
封裝：TO252
nce01p18k參數(shù)代換KIA23P10A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓-100V，漏極電流為-23A，RDS（ON）=78mΩ（典型值）@ VGS=10v；KIA23P10A采用先進(jìn)的溝槽MOSFET技術(shù)，提供出色的RDS（ON）和柵極電荷，廣泛應(yīng)用電動(dòng)車報(bào)警器、開關(guān)等領(lǐng)域。KIA23P10A符合RoHS和綠色產(chǎn)品要求，100%EAS保證，可靠、堅(jiān)固耐用，封裝形式：TO-252。
nce01p18k參數(shù)代換KIA23P10A特性
RDS（ON）=78mΩ（典型值）@VGS=10V
100%EAS保證
綠色設(shè)備可用
超低柵極電荷
出色的Cdv/dt效應(yīng)下降
先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù)
工作方式：-23A/-100V
漏源電壓：-100V
柵源電壓：±20V
漏電流連續(xù)：-23A
脈沖漏極電流：-75A
雪崩電流：18.9A
雪崩能量：157.2mJ
耗散功率：96W
熱電阻：62℃/W
漏源擊穿電壓：-100V
溫度系數(shù)：-0.022V/℃
柵極閾值電壓：-1.2V
輸入電容：3029PF
輸出電容：129PF
上升時(shí)間：53.6ns
KIA半導(dǎo)體MOS管具備強(qiáng)大的核心競(jìng)爭(zhēng)力，是開關(guān)電源生產(chǎn)廠家的優(yōu)質(zhì)選擇。KIA半導(dǎo)體MOS管廠家主要研發(fā)、生產(chǎn)、經(jīng)營(yíng)：場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）、COOL MOS（超結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管）、三端穩(wěn)壓管、快恢復(fù)二極管；廣泛應(yīng)用于逆變器、鋰電池保護(hù)板、電動(dòng)車控制器、HID車燈、LED燈、無刷電機(jī)、礦機(jī)電源、工業(yè)電源、適配器、3D打印機(jī)等領(lǐng)域；可申請(qǐng)免費(fèi)送樣以及報(bào)價(jià)、技術(shù)支持服務(wù)。
聯(lián)系方式：鄒先生
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