si2306場效應管參數(shù),2306場效應管參數(shù)代換-KIA MOS管

si2306場效應管參數(shù),2306場效應管資料

2306場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流為3.5A；極低RDS（on）的高密度單元設計、無鉛產(chǎn)品、堅固可靠；封裝形式：SOT-23。2306場效應管非常適合應用于LED感應燈、玩具、藍牙音箱等產(chǎn)品領域，2306場效應管能夠替代VISHAY(威世)、時科、CJ、新潔能產(chǎn)品型號進行使用，KIA半導體原廠直銷高性價比。

si2306場效應管參數(shù),2306場效應管

VDS =30V,R DS(on) =0.057Ω@V GS =10V,I D =3.5A

VDS =30V,R DS(on) =0.094Ω@V GS =4.5V,I D =2.8A

si2306場效應管參數(shù),2306場效應管資料

產(chǎn)品型號：KIA2306

工作方式：3.5A/30V

漏源電壓：30V

柵源電壓：±20A

漏電流連續(xù)：3.5A

脈沖漏極電流：16A

雪崩電流：1.25A

耗散功率：1.25W

熱電阻：100V/℃

漏源擊穿電壓：30V

柵極閾值電壓：1V

輸入電容：555PF

輸出電容：120PF

上升時間：7.5ns

封裝形式：SOT-23

si2306場效應管參數(shù),2306場效應管資料

si2306場效應管參數(shù),2306場效應管

KIA半導體是一家致力于功率半導體電子元器件研發(fā)與銷售的高新技術型企業(yè)，竭誠服務全球開關電源、綠色照明、電機驅動、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設備、數(shù)碼家電、安防工程等行業(yè)長期合作伙伴，主動了解客戶需求，不斷研發(fā)創(chuàng)新，為客戶提供綠色、節(jié)能、高效的功率半導體產(chǎn)品。