KCX3310A場效應管參數(shù),100V 85A,5mΩ,引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-10-30
KCX3310A場效應管漏源擊穿電壓100V，漏極電流最大為85A；RDS（on）（典型值）=5mΩ@Vgs=10V，3310A采用先進的SGT技術，具有極低的開關損耗、卓越的穩(wěn)定性、良好的開關特性等優(yōu)點，適用于電源切換應用、硬開關和高頻電路、不間斷電源等。封裝形式：DFN5*6、TO-263。
RDS低（打開）和FOM
極低的開關損耗
采用先進的SGT技術
卓越的穩(wěn)定性和均勻性
快速切換和軟恢復
電源切換應用
低導通電阻（典型值）RDS（導通）=5mΩ
硬開關和高頻電路
不間斷電源
漏極-源極電壓：100V
連續(xù)漏極電流：TO-263 90A/DFN5*6 85A
脈沖漏極電流：TO-263 360A/DFN5*6 340A
雪崩能量：529mJ
柵極-源極電壓：±20 V
功率耗散：TO-263 166W/DFN5*6 90W
連接和儲存溫度范圍：-55 to 150℃
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
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