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NCE0115K中文資料,nce0115k參數(shù),nce0115k代換6610A-KIA MOS管

信息來(lái)源：本站　日期：2023-09-26　

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NCE0115K中文資料

NCE0115KNCE新潔能100V 15A增強(qiáng)型功率NMOS

封裝：TO252

NCE0115K特性

VDS=100V，ID=15A

RDS（on）<100mΩ@ VGS=10V（typ：80mΩ)

RDS（on）<110mΩ@ VGS=4.5V（typ：85mΩ)


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KNX6610A是最高性能的N溝道MOSFETS，具有極高的高單元密度。6610A采用KIA先進(jìn)的平面條紋TRENCH技術(shù)生產(chǎn)。這種先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)過(guò)特別定制，可最大限度地減少導(dǎo)通損耗，提供卓越的開(kāi)關(guān)性能，并在雪崩和換向模式下承受高能脈沖。KNX6610A漏源擊穿電壓100V, 漏極電流最大值為15A ,RDS(on) =83mΩ(typ)@VGS=10V，能夠完美代換nce0115k型號(hào)參數(shù)場(chǎng)效應(yīng)管，6610A價(jià)格優(yōu)惠，現(xiàn)貨直銷。


nce0115k參數(shù),nce0115k代換6610A-特征

RDS（ON）=83mΩ（典型值）@VGS=10V

極低導(dǎo)通電阻RDS（On）

低Crss

快速切換

100%雪崩測(cè)試

改進(jìn)的dv/dt功能


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PWM應(yīng)用

電源管理

負(fù)載開(kāi)關(guān)


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聯(lián)系電話：0755-83888366-8022

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