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KCX2904A場效應(yīng)管 130A 45V參數(shù) MOS管資料?-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2023-09-15 

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KCX2904A場效應(yīng)管 130A 45V參數(shù) MOS管資料-KIA MOS管


KCX2904A場效應(yīng)管 130A 45V

KCX2904A漏源擊穿電壓45V,漏極電流最大為130A;RDS(on)(典型值)=2.0mΩ@Vgs=10V,開啟延遲典型值為16nS,關(guān)斷延遲時間典型值為44nS,上升時間18.3nS,下降時間11.5nS,反向傳輸電容110pF,反向恢復(fù)時間98nS,正向電壓的典型值0.78V。封裝形式:TO-263、TO-220。


KCX2904A場效應(yīng)管 130A 45V-優(yōu)勢

使用先進(jìn)的SGT技術(shù)

高穩(wěn)定性和可靠性

增加最大電流能力

低功耗,高功率密度

簡易平行排線


KCX2904A場效應(yīng)管 130A 45V-特性

RDS(on)(典型值)=2.0mΩ@Vgs=10V

電阻極低RDS(開啟)

優(yōu)秀的低Cis


KCX2904A場效應(yīng)管 130A 45V-應(yīng)用

交直流快速充電器的同步整流

電池管理

不間斷電源


KCX2904A場效應(yīng)管 130A 45V-封裝圖

KCX2904A場效應(yīng)管,130A 45V


KCX2904A場效應(yīng)管 130A 45V-參數(shù)

KCX2904A場效應(yīng)管,130A 45V

KCX2904A場效應(yīng)管,130A 45V


KCX2904A作為一款高性能的N溝道MOSFET,采用先進(jìn)的SGT技術(shù),具有高穩(wěn)定性和可靠性、極低的開關(guān)損耗,在無刷電機(jī)驅(qū)動和逆變器防反接部分的應(yīng)用中發(fā)揮著重要作用。歡迎來電咨詢,免費(fèi)送樣!


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