3406場效應(yīng)管參數(shù)引腳圖 60V80A場效應(yīng)管-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-09-12
MOS管KCX3406A：漏源擊穿電壓60V，漏極電流最大值為80A；RDS (on) = 8.5mΩ(typ)@VGS =10V。KCX3406A是采用KIA的LVMOS技術(shù)生產(chǎn)的N溝道增強型功率MOS場效應(yīng)晶體管。改進的工藝和單元結(jié)構(gòu)經(jīng)過特別定制，以最大限度地減少導(dǎo)通電阻，提供卓越的開關(guān)性能。廣泛應(yīng)用于二次同步整流器、逆變器系統(tǒng)的功率管理、無刷電機、LED電源等產(chǎn)品。封裝形式：DFN5*6、TO-252。
80A 60V，RDS（ON）（典型值）=8.5mΩ@VGS=10V
SGT mosfet
低柵極電荷
低Crss
快速切換
改進的dv/dt功能
KIA半導(dǎo)體MOSFET場效應(yīng)管采用優(yōu)質(zhì)芯片及先進的工藝技術(shù)封裝，為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品，和國外產(chǎn)品相比，我司的該款產(chǎn)品具有貨期短、性價比高等優(yōu)點。來電咨詢，免費送樣！
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)金田路3037號金中環(huán)國際商務(wù)大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助
免責(zé)聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權(quán)，請聯(lián)系刪除。
