場效應(yīng)管功放電路分享,簡單好用-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-09-05
場效應(yīng)管具有輸入阻抗高、頻率特性好、穩(wěn)定性好(無二次擊穿現(xiàn)象)低噪聲、低失真等特點(diǎn)，已被廣泛地應(yīng)用在音響電路中，用VMOS功率場效應(yīng)管制成的功放，音色優(yōu)美，音色比雙極型晶體管功放暖，與電子管功放相似，失真小且制作容易，因此很受音響愛好者的喜愛。
簡單的50W-100W電壓形式的音響功率放大器，該電路屬于電壓形式的功率放大器，最大優(yōu)點(diǎn)是制作十分簡單！只要按電路圖上面的方法，可一次成功。調(diào)試方法也很簡單。主要調(diào)整的元件是：R11、R12、R13調(diào)整R11和R12可以靜態(tài)電流。
用AP500A作推動級，末級精選一對日立名管K1058/J162擔(dān)任。圖中K1、K2為鈕子開關(guān)，K1可將L、R聲道輸入信號互換；K2則用于關(guān)機(jī)時(shí)斷開負(fù)載，避免沖擊。電路正確安裝后，只需調(diào)4.7kΩ電位器使末級功放管靜態(tài)電流為300mA即可。
為減小失真，輸入級采用差動放大電路。V1用對管2SC1583，穩(wěn)定性和對稱性好；V2接成恒流源，為本級提供穩(wěn)定的靜態(tài)工作電流，采用恒流源作差動放大器的射極電阻，可提高差動放大器的共模抑制比和動態(tài)范圍，從而進(jìn)一步改善失真。c1為輸入耦合電容，R1、c2構(gòu)成低通濾波器，阻止前級的超音頻干擾信號竄入功放；R2決定了功放的輸入阻抗。合形式，是從成本上考慮的。若全用場效應(yīng)管，效果更好。
各管的射(陰)極都加有本級電流負(fù)反饋電阻，起穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)的作用。有利于改善失真。整機(jī)負(fù)反饋則由R18、R19、C6、C7組成，總增益約為26．8dB。C7是隔直電容，使前后級形成直流全負(fù)反饋，保證輸出中點(diǎn)靜態(tài)零電位。
c3、c6是為了抑制高頻自激振蕩而設(shè)置。放大器的電壓增益大部分由v3獲得，而c3可產(chǎn)生高頻負(fù)反饋，降低放大器的高頻增益，破壞高頻自激的幅度條件。但c3又使高頻相位 更加滯后，所以在反饋回路中加入C6，進(jìn)行相位超前補(bǔ)償，破壞高頻自激的相位條件。
C5、R17組成相移校正電路，使負(fù)載近于純電阻。防止高頻自激。由于揚(yáng)聲器阻抗中的電感分量在高頻時(shí)明顯增加，使放大器的負(fù)載呈電感性，引起輸電流滯后于輸m電 壓。若放大器的高頻增益較高，還容易產(chǎn)生高頻自激振蕩。
R13、R14串接在柵極是防止VMOS管產(chǎn)生高頻自激。由于柵極的高阻抗，加上接線及分布電容、電感和柵極分布電容的影響，VMOS管在工作中可會出現(xiàn)高頻自激振蕩。解決V3為第二級電壓放大管，V5接成恒流源，為本級提供穩(wěn)的靜態(tài)工作電流和高的負(fù)載阻抗，由于V5的存在，v3的壓增益大為提高，這樣，就不必用自舉電路。
V4、VR和R9接在V3、V5集電極之間構(gòu)成Vbe擴(kuò)大電，調(diào)節(jié)VR可改變末級大功率管的靜態(tài)工作電流。V4還起度補(bǔ)償作用，當(dāng)功率管的溫度升高時(shí)，V4的發(fā)射結(jié)壓降小，于是V4的集電極一發(fā)射極電壓也降低，從而降低了功管的靜態(tài)電流，作用與二極管相似，但比二極管更靈，安裝時(shí)應(yīng)與功率管一起裝在散熱器上，電氣上要絕。
V6一V9等組成輸出級，采用雙極型晶體管與場效應(yīng)管混的辦法是加入阻尼電阻，即在柵極串接一只電阻(一般不超過1kQ)。
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