1000V 10A電源應用 61100A場效應管 mos管參數(shù)-KIA MOS管

KNX61100A場效應管-漏源擊穿電壓高達1000V，漏極電流最大值為10A；RDS (on) = 1.0mΩ(typ)@VGS =10V。具有低電荷最小化開關損耗，低反向傳輸電容，開關速度快等優(yōu)點，適用于備用電源，充電樁等應用。封裝形式：TO-247；腳位排列位GDS。

1000V 10A 61100A場效應管-特點

符合RoHS

RDS（ON），典型=2.0Ω@VGS=10V

低柵極電荷最小化開關損耗

快速恢復體二極管

1000V 10A 61100A場效應管-應用

適配器

充電器

SMPS備用電源

1000V 10A 61100A場效應管-封裝圖

1000V 10A 61100A場效應管

1000V 10A 61100A場效應管-參數(shù)

1000V 10A 61100A場效應管

KIA半導體是一家致力于功率半導體電子元器件研發(fā)與銷售的高新技術型企業(yè)，竭誠服務全球開關電源、綠色照明、電機驅(qū)動、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設備、數(shù)碼家電、安防工程等行業(yè)長期合作伙伴，主動了解客戶需求，不斷研發(fā)創(chuàng)新，為客戶提供綠色、節(jié)能、高效的功率半導體產(chǎn)品。

1000V 10A 61100A場效應管