1000V場效應(yīng)管代換2sk119參數(shù) 41100A引腳圖-KIA MOS管

可易亞半導(dǎo)體（KIA）針對1000V超高壓MOS產(chǎn)品進行了大量的技術(shù)革新，通過多年的產(chǎn)品技術(shù)積累，開發(fā)出耐壓更高，導(dǎo)通內(nèi)阻更低的超高壓MOS管，KNX41100A場效應(yīng)管-漏源擊穿電壓高達1000V，漏極電流最大值為2A，可替換2sk119；RDS (on) = 9.6mΩ(typ)@VGS =10V。具有低電荷最小化開關(guān)損耗，低反向傳輸電容，開關(guān)速度快等優(yōu)點，適用于LED照明驅(qū)動電源，充電樁等應(yīng)用。封裝形式：TO-220、TO-220F、TO-252；腳位排列位GDS。

1000V參數(shù)代換2sk119-特點

符合RoHS

RDS（ON），典型=9.6Ω@VGS=10V

低柵極電荷最小化開關(guān)損耗

快速恢復(fù)體二極管

1000V參數(shù)代換2sk119-應(yīng)用

適配器

充電器

SMPS備用電源

1000V參數(shù)代換2sk119-封裝圖

1000V參數(shù)代換2sk119

1000V參數(shù)代換2sk119-參數(shù)

1000V參數(shù)代換2sk119

KIA半導(dǎo)體專業(yè)生產(chǎn)MOS管場效應(yīng)管廠家（國家高新技術(shù)企業(yè)）成立于2005年，公司成立初期就明確立足本土市場，研發(fā)為先導(dǎo)，了解客戶需求，運用創(chuàng)新的集成電路設(shè)計方案和國際同步研發(fā)技術(shù)，結(jié)合中國市場的特點，向市場推出了BIPOLAR,CMOS,MOSSFET等電源相關(guān)產(chǎn)品，產(chǎn)品的穩(wěn)定性，高性價比，良好的服務(wù)，以及和客戶充分的技術(shù)，市場溝通的嚴謹態(tài)度，在移動數(shù)碼，LCE,HID,LED,電動車，開關(guān)電源，逆變器，節(jié)能燈等領(lǐng)域深得客戶認可。

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