20n50場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù),20n50參數(shù)代換,引腳圖-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2023-08-09
KIA20N50H N溝道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET專為高壓、高速功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，如高效開(kāi)關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正。
KIA20N50具有500V高耐壓，20A漏極直流電流，低反向傳輸電容開(kāi)關(guān)速度快，內(nèi)阻低，耐沖擊特性好等特點(diǎn)；在使用性能參數(shù)方面能夠匹配型號(hào)為IRFP460的國(guó)外場(chǎng)效應(yīng)管，也能夠代換2SK2837型號(hào)的場(chǎng)效應(yīng)管。
廣泛應(yīng)用于DC-AC電源轉(zhuǎn)換器，DC-DC電源轉(zhuǎn)換器，高壓H橋PMW馬達(dá)驅(qū)動(dòng)，逆變器（1000W）/開(kāi)關(guān)電源/電焊機(jī)產(chǎn)品中。
產(chǎn)品型號(hào)：KIA20N50
漏極至源極電壓（VDSS）：500V
柵源電壓（VGSS）：±30V
漏極電流 （連續(xù)）（lD）：20A
耗散功率（PD）：41W/0.33W/℃
工作溫度：+150/℃
擊穿電壓溫度：0.5V/℃
輸入電容：VGS =0V,VDS=25V,f=1MHz
上升時(shí)間：VDD=250V，ID=20A，RG=25Ω
封裝形式：TO-220F、TO-247、TO-3P
RDS（on）= 0.21Ω@ V GS = 10v
低柵極電荷（典型的70nC）
快速切換能力
雪崩能量
改進(jìn)的dt／dt能力
KIA半導(dǎo)體是一家致力于功率半導(dǎo)體電子元器件研發(fā)與銷售的高新技術(shù)型企業(yè)，竭誠(chéng)服務(wù)全球開(kāi)關(guān)電源、綠色照明、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、汽車電子、新能源充電樁、太陽(yáng)能設(shè)備、數(shù)碼家電、安防工程等行業(yè)長(zhǎng)期合作伙伴，主動(dòng)了解客戶需求，不斷研發(fā)創(chuàng)新，為客戶提供綠色、節(jié)能、高效的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。
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