10n65場效應(yīng)管參數(shù) 儲能電源高壓MOS管10n65 650V-KIA MOS管

10n65場效應(yīng)管 650V介紹

KIA10N65H N溝道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET專為高壓、高速功率開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，如高效開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正、基于半橋拓?fù)涞碾娮訜翩?zhèn)流器。10n65場效應(yīng)管是針對儲能電源，有更耐沖擊，同等參數(shù)雪崩更高的MOSFET。

10n65場效應(yīng)管 650V特征

RDS(on)=0.65Ω @ VGS=10V

低柵極電荷(典型48nC)

快速交換功能

指定的雪崩能量

改進(jìn)的DV/DT功能

10n65場效應(yīng)管 650V封裝圖

大功率MOS管KIA10N65H 650V10A

10n65場效應(yīng)管 650V參數(shù)

大功率MOS管KIA10N65H 650V10A

KIA半導(dǎo)體是一家致力于功率半導(dǎo)體電子元器件研發(fā)與銷售的高新技術(shù)型企業(yè)，竭誠服務(wù)全球開關(guān)電源、綠色照明、電機(jī)驅(qū)動、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設(shè)備、數(shù)碼家電、安防工程等行業(yè)長期合作伙伴，主動了解客戶需求，不斷研發(fā)創(chuàng)新，為客戶提供綠色、節(jié)能、高效的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。